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边伟

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇场效应
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米环
  • 2篇纳米集成电路
  • 2篇金属
  • 2篇金属诱导
  • 2篇硅栅
  • 2篇背栅
  • 2篇场效应器件
  • 1篇电路设计
  • 1篇短沟效应
  • 1篇压强
  • 1篇氢含量
  • 1篇阈值电压
  • 1篇芯片

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇边伟
  • 2篇何进
  • 1篇黄媛媛
  • 1篇李志宏
  • 1篇田大宇
  • 1篇李素兰
  • 1篇陈晟
  • 1篇郭辉
  • 1篇王煜
  • 1篇甘学温
  • 1篇张国炳

传媒

  • 2篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2005
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法
本发明公开了一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法。该方法依次包括如下步骤：在衬底上生长隔离层，背栅介质层及隔离层，光刻该介质层之上的隔离层，得到背栅电极的图形，淀积牺牲侧壁介质层，致密，于该层光刻100纳米以内、半...
边伟何进
文献传递
基于CORDIC算法的三角函数发生器的CMOS电路设计
本文提出了基于CORDIC算法实现三角函数发生器的CMOS电路设计.给出了该三角函数发生器的结构,以及其中各部分的CMOS电路实现,利用电路模拟验证了电路的功能,并且通过电路模拟对该发生器的精度进行了分析.
黄媛媛边伟甘学温
关键词：集成电路芯片设计函数发生器
文献传递
一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法
本发明公开了一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法。该方法依次包括如下步骤：在衬底上生长隔离层，背栅介质层及隔离层，光刻该介质层之上的隔离层，得到背栅电极的图形，淀积牺牲侧壁介质层，致密，于该层光刻100纳米以内、半...
边伟何进
文献传递
PECVD SiC材料刻蚀技术研究
在MEMS器件中,SiC材料的使用已经越来越广泛,因此形成一套可以满足兼容性和可控性要求的标准工艺显得十分重要.本文通过对PECVDSiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提...
陈晟李志宏张国炳郭辉王煜田大宇李素兰边伟
关键词：反应离子刻蚀氢含量功率压强刻蚀速率
文献传递
环栅MOSFET器件研究
随着传统体硅器件的特征尺寸不断缩小，短沟效应以及亚阈退化等次级效应对器件性能的进一步提升在物理上构成了障碍。近年来，为了使特征尺寸在45纳米的节点后能继续延伸下去，一系列非传统的CMOS器件结构被广为研究。其中包括双栅(...
边伟
关键词：场效应晶体管短沟效应半导体工艺阈值电压
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