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文献类型

  • 16篇中文专利

主题

  • 8篇探测器
  • 5篇碲镉汞
  • 5篇红外
  • 4篇碲镉汞探测器
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 3篇凸起
  • 3篇碲锌镉
  • 3篇围栏
  • 3篇测试台
  • 3篇尺寸
  • 2篇电路
  • 2篇电压
  • 2篇电压测试
  • 2篇读出电路
  • 2篇钝化
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇探测器芯片
  • 2篇翘曲

机构

  • 16篇中国电子科技...

作者

  • 16篇朱西安
  • 10篇孙浩
  • 7篇王成刚
  • 4篇周立庆
  • 4篇许秀娟
  • 4篇巩锋
  • 4篇折伟林
  • 2篇张敏
  • 2篇东海杰
  • 2篇沈悦
  • 2篇谢珩
  • 2篇宁提
  • 2篇胡小燕
  • 2篇梁宗久
  • 2篇李家发
  • 2篇刘伟
  • 1篇刘海龙
  • 1篇赵凯
  • 1篇李震
  • 1篇张鹏

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2012
  • 7篇2010
  • 1篇2009
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法
本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法,其中,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品...
许秀娟巩锋周立庆折伟林朱西安
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一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置
本发明公开了一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀方法及刻蚀装置,所述装置包括:一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连,另一个射频源与反应室下端的下电极相连。所述方法包括以下步骤:在碲镉汞器件表面形成光刻胶掩膜图...
李震孙浩王成刚朱西安
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一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法
本发明公开了一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法。其中,该方法包括:步骤A,将样品安装在液氮杜瓦中,并按定义焊接好引线;步骤B,在杜瓦中安装冷屏并加入温度传感器;步骤C,对液氮杜瓦进行抽取真空操作;步骤D,用测试...
孙浩鲍哲博朱西安李家发刘伟东海杰宁提
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一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法
本发明公开了一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法,该方法使用湿法腐蚀牺牲层材料,利用腐蚀液横向钻蚀效应,反应迅速,无须在像元中心开许多小孔以帮助去除牺牲层材料,故工艺方法简单,且能够有效缓解由于应力所造成的去掉牺牲层后像...
胡小燕孙浩梁宗久朱西安
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承载碲锌镉样品的装置
本实用新型公开了一种承载碲锌镉样品的装置,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品位置移动导致滑落,围栏的高度不...
许秀娟巩锋周立庆折伟林朱西安
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一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法
本发明提供一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法,其中,包括下列步骤:步骤A:在制备好的生长完铟柱的探测器芯片侧进行光刻;步骤B:利用离子铣设备在铟柱上生长金薄膜;步骤C:将探测器上的光刻胶去除干净;步骤D...
沈悦谢珩刘明王成刚朱西安
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红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法
本发明公开了一种红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法,包括:步骤A:对双色碲镉汞探测器的芯片台面裸露的碲镉汞进行腐蚀,消除物理损伤薄膜,去除表面硫化锌膜层;步骤B:利用磁控溅射设备对经过步骤A处理后的芯片台面进行钝化处理;本...
张敏孙浩王成刚朱西安
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一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置
本实用新型公开了一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置,所述装置包括:靶材,安装在增透膜层生长腔室的底部,并通过匹配箱与射频电源连接;样品托,安装在增透膜层生长腔室的顶部,所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘,所述样...
孙浩马涛王成刚朱西安
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一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法
本发明公开了一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法,该方法使用湿法腐蚀牺牲层材料,利用腐蚀液横向钻蚀效应,反应迅速,无须在像元中心开许多小孔以帮助去除牺牲层材料,故工艺方法简单,且能够有效缓解由于应力所造成的去掉牺牲层后像...
胡小燕孙浩梁宗久朱西安
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承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法
本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法,其中,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品...
许秀娟巩锋周立庆折伟林朱西安
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共2页<12>
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