王家畴
- 作品数：78 被引量：77H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程文化科学更多>>
- 基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法
- 本发明提供一种基于（111）单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法，所述加速度计包括（111）单晶硅基底和集成于单晶硅基底一面的固支板、微梁与力敏电阻。该单晶硅基底上所有功能部件均位于所述单晶硅基底的一面，所述单晶...
- 李昕欣邹宏硕王家畴张鲲
- 文献传递
- 偏离（111）硅片解理晶向的高强度悬臂梁结构及制作方法
- 本发明提供一种偏离（111）硅片解理晶向的高强度悬臂梁结构及制作方法，所述悬臂梁结构包括：（111）单晶硅片；至少一根悬臂梁，悬臂梁沿特定的晶向分布于（111）单晶硅片上，使得悬臂梁的横截面偏离（111）单晶硅片的解理面...
- 李昕欣王家畴
- 文献传递
- 基于PMAC磨螺纹数控系统研制
- 数控机床是现代化生产中高度自动化、高效率的生产设备，它的出现提高了零件的加工精度和加工效率，减轻了工人的劳动强度，取得了良好的经济效益，并有利于生产管理的科学化和现代化。
该文基于这种思想，开发了磨螺纹机床数控...
- 王家畴
- 关键词：PMAC数控系统
- 文献传递
- 基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析被引量：6
- 2008年
- 针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。
- 王家畴荣伟彬李昕欣孙立宁
- 关键词：体硅工艺
- 一种谐振式压力传感器及其制备方法
- 本发明提供一种谐振式压力传感器及其制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，于衬底上表层形成间隔设置的拾振电阻及驱动电阻；于衬底上表层形成至少一包括谐振梁及振动间隙的谐振结构，谐振梁包括相连接的第一梁、第二梁及中间梁，驱动电阻...
- 王家畴田宇博李昕欣
- 一种单芯片复合传感器结构及其制备方法
- 本发明提供一种单芯片复合传感器结构及其制备方法，所述单芯片复合传感器结构包括：单晶硅衬底、单晶硅衬底上的绝缘层及集成在所述单晶硅衬底同一面上的角速度传感器、加速度传感器及压力传感器；其中，所述单晶硅衬底上插设有多个绝缘锚...
- 王家畴张鹏李昕欣
- 适于表面贴装封装的单硅片微流量传感器及其制作方法
- 本发明提供一种适于表面贴装封装的单硅片微流量传感器及其制作方法，所述单硅片微流量传感器包括一单晶硅基片、二压力传感器和具有出/入通口的微流体沟道，本发明采用单硅片单面体硅微机械加工方法，在单晶硅基片内部制作所述微流体沟道...
- 李昕欣王家畴刘洁丹
- 文献传递
- 高灵敏度加速度传感器结构的制备方法
- 本发明提供一种高灵敏度加速度传感器结构的制备方法,包括：提供衬底；于衬底正面进行硼离子注入；于衬底的正面及背面依次形成第一氧化硅层及低应力氮化硅层；于衬底的正面形成释放窗口；形成深槽；形成内部刻蚀缓冲腔体；于释放窗口的侧...
- 王家畴李昕欣
- 文献传递
- 一种压力传感器及其制作方法
- 本发明涉及一种压力传感器及其制作方法。所述压力传感器包括SOI单晶硅片，沉积在SOI单晶硅片的埋氧化层上方的终级钝化层，设置在终级钝化层与SOI单晶硅片的埋氧化层之间的多个压敏电阻，用于实现压敏电阻相互之间的连接的金属引...
- 王家畴李昕欣
- 硅基集成式微型平面纳米级定位平台控制
- 为了解决纳米级定位平台小型化、低能耗、定位精度高的问题,基于结构、驱动和检测一体化的设计理念,研制出了一种硅基片上集成式微型平面纳米级XY定位平台,在建立定位平台数学模型基础上,利用Matlab分析软件对定位平台开环和闭...
- 王家畴李昕欣孙立宁
- 关键词：MEMS器件硅基片闭环控制开环控制自适应PID控制
- 文献传递
