您的位置： 专家智库 > >

申屠伟进

作品数：4 被引量：23H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 3篇GAN基发光...
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓基发光...
  • 2篇热沉
  • 2篇热应变
  • 2篇P型
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料
  • 1篇能谱
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片尺寸
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇蒙特卡罗方法
  • 1篇光提取效率
  • 1篇俄歇电子
  • 1篇俄歇电子能谱

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇罗毅
  • 4篇申屠伟进
  • 4篇韩彦军
  • 3篇薛松
  • 2篇钱可元
  • 1篇胡飞
  • 1篇张贤鹏
  • 1篇马洪霞

传媒

  • 2篇光电子．激光

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 2篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触被引量：3
2006年
提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。
马洪霞韩彦军申屠伟进张贤鹏罗毅钱可元
关键词：GAN欧姆接触
GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究被引量：20
2005年
基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。
申屠伟进胡飞韩彦军薛松罗毅钱可元
关键词：发光二极管蒙特卡罗方法芯片尺寸LEDSP型
一种GaN基发光二极管的制作方法
本发明公开了属于氮化镓基发光器件制作领域的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征是通过刻蚀深槽将管芯上的发光区分割成2个以上小尺寸的发光区，以提高器件的发光效率以及器件的热稳定性和寿命。也可通过倒装焊技术将本发明所设计...
罗毅韩彦军申屠伟进薛松
文献传递
一种GaN基发光二极管的制作方法
本发明公开了属于氮化镓基发光器件制作领域的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征是通过刻蚀深槽将管芯上的发光区分割成2个以上小尺寸的发光区，以提高器件的发光效率以及器件的热稳定性和寿命。也可通过倒装焊技术将本发明所设计...
罗毅韩彦军申屠伟进薛松
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0