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吕植成

作品数:25 被引量:20H指数:3
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家科技重大专项国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 21篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 10篇金属
  • 10篇封装
  • 8篇硅片
  • 6篇电迁移
  • 6篇探针
  • 5篇金属互连
  • 5篇金属互连线
  • 5篇互连
  • 5篇互连线
  • 4篇电镀
  • 4篇通孔
  • 4篇芯片
  • 4篇晶须
  • 4篇晶圆
  • 4篇刻蚀
  • 4篇硅基
  • 4篇硅晶
  • 4篇硅晶圆
  • 4篇TSV
  • 3篇倒装芯片

机构

  • 25篇华中科技大学
  • 1篇武汉光电国家...

作者

  • 25篇吕植成
  • 24篇汪学方
  • 22篇刘胜
  • 20篇袁娇娇
  • 9篇方靖
  • 7篇王宇哲
  • 6篇杨亮
  • 6篇师帅
  • 4篇宋斌
  • 4篇徐明海
  • 3篇张学斌
  • 3篇陈飞
  • 3篇徐春林
  • 3篇吕亚平
  • 3篇曹斌
  • 3篇胡畅
  • 3篇刘孝刚
  • 2篇蔡明先
  • 1篇王志勇
  • 1篇陈星

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 9篇2013
  • 12篇2012
  • 1篇2011
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种利用锡须生长填充微孔的方法
本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法,依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层,在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处,沉积的金属内部自然形成空洞;在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶;腐蚀掉旋涂...
刘胜汪学方吕植成袁娇娇徐春林师帅方靖
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一种超薄芯片的制备方法
本发明公开了一种超薄芯片的制备方法,具体为:首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域,再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄,对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片,最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了...
刘胜汪学方吕植成袁娇娇蔡明先
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一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法,在基片上沉积金属层,利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线;将金属细线的两端接电极,通电,促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长...
刘胜汪学方吕植成袁娇娇胡畅张学斌吕亚平
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一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品
本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品,包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉;硅基板正面加工有放置芯片的凹腔,凹腔底部的长度与芯片的长度相同;硅基板的反面加工有两组通孔,两通孔与凹腔相连...
刘胜吕植成汪学方袁娇娇刘孝刚杨亮陈飞方靖曹斌
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硅晶圆微盲孔金属填充方法及装置
本发明公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充方法,将加工有多个小孔的孔板置于硅晶圆的表面,孔板上的小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应;将多个金属小球洒在孔板上,并用毛刷扫动使得孔板的每一个小孔内有一个金属小球,清除孔板上多余的金属...
刘胜汪学方吕植成袁娇娇徐明海师帅王宇哲
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基于硅基的气密性封装外壳
本发明公开了一种基于硅基的气密性封装外壳结构,该外壳采用单晶硅作为气密性封装材料,用于对MEMS芯片进行气密性封装。外壳包括管座和盖帽,管座为带有凹槽的单晶硅片,凹槽槽底带有通孔,通孔内镀有导电金属材料,通孔作为TSV信...
刘胜汪学方方靖吕植成
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硅晶圆微盲孔金属填充装置
本实用新型公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充装置,包括孔板和真空回流装置;所述孔板置于硅晶圆的表面的孔板,孔板上加工有多个用于填充金属小球的小孔,小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应;所述真空回流装置用于在真空环境下熔化金属小球...
刘胜汪学方吕植成袁娇娇徐明海师帅王宇哲
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一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构
本发明公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构,包括硅片,硅片上分布有多个硅通孔单元,所述硅通孔单元包括三个硅通孔,第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连,第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层...
刘胜汪学方吕植成袁娇娇宋斌杨亮
一种非接触式金属电迁移测量方法和装置
本发明公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量方法,具体为:使用平行光照射标定用金属互联线,同时采用四探针检测标定用金属互联线的电阻;建立四探针检测到的标定用金属互联线的电阻与标定用金属互联线的表面反射光强的对应关系;使用...
刘胜吕植成汪学方袁娇娇王宇哲
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基于硅基板的大功率LED封装研究
在新的世纪里,发光二极管(Light-Emitting-DiodeLED)作为下一代光源,近几年来发展迅速。LED在很多方面相对于传统光源有诸多优势,例如高光效、长寿命、低能耗、低污染、体积小、工作温度低等。这些优点使得...
吕植成
关键词:硅基板发光二极管封装方法
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共3页<123>
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