岳全龄
- 作品数：9 被引量：12H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学冶金工程更多>>
- 碲锌镉材料的研制
- 了国内外关于碲锌镉材料的研制情况,介绍了昆明物理研究所研制碲锌镉材料的进展和目前达到的水平.
- 黄晖赵增林万锐敏岳全龄王晓薇姬荣斌
- 关键词：碲锌镉半导体材料
- 一种新的生长碲锌镉晶体技术
- 本发明属于一种生长晶体的工艺方法，主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是：按照选定的优势引晶晶向，制备出一定规格范围的籽晶块或棒，将籽晶装入石英管底腔中，石英管上部装入碲锌镉合金晶锭，进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
- 姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 一种新的生长碲锌镉晶体技术
- 本发明属于一种生长晶体的工艺方法，主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是：按照选定的优势引晶晶向，制备出一定规格范围的籽晶块或棒，将籽晶装入石英管底腔中，石英管上部装入碲锌镉合金晶锭，进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
- 姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 垂直布里奇曼法生长CdTe和CdZnTe衬底晶体中的沉积相或包裹体及其检测
- 了垂直布里奇曼方法生长的CdTe和CdZnTe衬底晶体中沉积相对衬底质量和外延碲镉汞薄膜质量的影响、沉积相或包裹体形成的原因、控制原理以及减少沉积相密度和尺寸的方法；给出了不同CdTe和CdZnTe晶体样品中沉积相的红外...
- 莫玉东董先庆秦娟岳全龄陈华
- 关键词：晶体沉积相
- Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响被引量：7
- 2005年
- 在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相。采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量。实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(>5μm)的Cd沉积相, 改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD)。在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能。
- 张鹏举赵增林胡赞东万锐敏岳全龄王晓薇姬荣斌
- 关键词：CDZNTE退火红外透过率
- 采用竖直炉装置沉积碳或氮化硼薄膜技术
- 本发明属于一种真空镀膜技术，主要用于在石英容器内壁上沉积光亮、均匀、附着牢固的优质碳或氮化硼膜层，也可以用于其它坩埚类容器内壁上镀制膜层。其主要技术方案是：由竖直炉、管架、真空机组、质量流量控制器，丁烷或硼烷裂解源组成一...
- 赵增林万锐敏岳全龄王晓薇张鹏举胡赞东姬荣斌宋炳文蔡春江
- 文献传递
- 样品的表面制备对碲锌镉单晶X射线双晶摆动半峰宽测量的影响被引量：5
- 1998年
- 对碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ，简写ＭＣＴ）薄膜外延生长通常使用的〈１１１〉方向的碲锌镉（Ｃｄ１－ｙＺｎｙＴｅ，简写ＣＺＴ）衬底晶片做了不同的机械磨抛、化学腐蚀的表面制备，在相同的测量条件下进行双晶摆动半峰宽测量．结果表明，样品的表面制备对ＦＷＨＭ值有严重的影响．本文介绍了这种测量所应具有的表面制备及测量条件．
- 莫玉东岳全龄陈华秦娟黄晖吴刚何永成李德修
- 垂直布里奇曼法生长CdTe和CdZnTe衬底晶体中的沉积相或包裹体及其检测
- 介绍了垂直布里奇曼方法生长的CdTe和CdZnTe衬底晶体中沉积相对衬底质量和外延碲镉汞薄膜质量的影响、沉积相或包裹体形成的原因、控制原理以及减少沉积相密度和尺寸的方法;给出了不同CdTe和CdZnTe晶体样品中沉积相的...
- 陈华岳全龄秦娟董先庆莫玉东
- 关键词：沉积相
- 文献传递
- Cd1-yZnyTe衬底材料研究进展
- 本文介绍了昆明物理研究所Cd<,1-y>Zn<,y>Te衬底材料研究的最新进展,测试分析了所生长的Cd<,1-y>Zn<,y>Te单晶x-ray双晶形貌相,腐蚀坑密度(EPD)等,并且测量了微沉积相密度.结果表明,本所自...
- 姬荣斌赵增林吴刚岳全龄董先庆张梅宋炳文
- 关键词：碲镉汞薄膜位错
- 文献传递
