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王晓薇

作品数:6 被引量:7H指数:1
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:云南省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇碲锌镉
  • 2篇单晶
  • 2篇石英管
  • 2篇籽晶
  • 2篇碲锌镉晶体
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇镀膜
  • 1篇镀膜技术
  • 1篇一氧化碳
  • 1篇真空镀
  • 1篇真空镀膜
  • 1篇真空镀膜技术
  • 1篇真空机组
  • 1篇质量流量控制...
  • 1篇实验室
  • 1篇退火

机构

  • 6篇昆明物理研究...

作者

  • 6篇王晓薇
  • 5篇赵增林
  • 5篇万锐敏
  • 5篇姬荣斌
  • 5篇岳全龄
  • 4篇张鹏举
  • 4篇胡赞东
  • 3篇黄晖
  • 3篇蔡春江
  • 3篇宋炳文
  • 2篇计瑞松
  • 2篇张小文
  • 2篇吴刚

传媒

  • 2篇红外技术
  • 1篇第十届全国光...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇1992
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种新的生长碲锌镉晶体技术
本发明属于一种生长晶体的工艺方法,主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是:按照选定的优势引晶晶向,制备出一定规格范围的籽晶块或棒,将籽晶装入石英管底腔中,石英管上部装入碲锌镉合金晶锭,进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
文献传递
一种新的生长碲锌镉晶体技术
本发明属于一种生长晶体的工艺方法,主要用于碲锌镉晶锭的晶体生长。其主要技术方案是:按照选定的优势引晶晶向,制备出一定规格范围的籽晶块或棒,将籽晶装入石英管底腔中,石英管上部装入碲锌镉合金晶锭,进行生长碲锌镉晶体。本发明使...
姬荣斌赵增林万锐敏岳全龄张鹏举吴刚胡赞东黄晖王晓薇张小文计瑞松宋炳文蔡春江
文献传递
高纯一氧化碳气体的实验室制备
1992年
一氧化碳是无色、有毒气体,密度1.2502mg/cm^3,沸点-192℃,凝固点-205℃,常压下不溶于水。由于它是很好的还原剂,所以在化学制备和还原金属方面有独特的用途。CO气体只有4.7μm的一个红外特征吸收峰,不像其他气体含有多个红外吸收峰,因此它可作为红外频谱上的标识峰。CO气体化学性不稳定,极易与氧化合成CO_2,故无市售供应。随着现代科技的发展,已发现CO有不少新作用。例如CO与加热的硒接触,在暗处就能生成硒羰化合物(CO+Se→COSe)。
谢伯兴王世月王晓薇何为成
关键词:一氧化碳实验室
碲锌镉材料的研制
了国内外关于碲锌镉材料的研制情况,介绍了昆明物理研究所研制碲锌镉材料的进展和目前达到的水平.
黄晖赵增林万锐敏岳全龄王晓薇姬荣斌
关键词:碲锌镉半导体材料
采用竖直炉装置沉积碳或氮化硼薄膜技术
本发明属于一种真空镀膜技术,主要用于在石英容器内壁上沉积光亮、均匀、附着牢固的优质碳或氮化硼膜层,也可以用于其它坩埚类容器内壁上镀制膜层。其主要技术方案是:由竖直炉、管架、真空机组、质量流量控制器,丁烷或硼烷裂解源组成一...
赵增林万锐敏岳全龄王晓薇张鹏举胡赞东姬荣斌宋炳文蔡春江
文献传递
Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响被引量:7
2005年
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相。采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量。实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(>5μm)的Cd沉积相, 改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD)。在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能。
张鹏举赵增林胡赞东万锐敏岳全龄王晓薇姬荣斌
关键词:CDZNTE退火红外透过率
共1页<1>
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