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毕津顺

作品数：204 被引量：56H指数：5
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 143篇专利
  • 46篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 64篇电子电信
  • 12篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 3篇航空宇航科学...
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学

主题

  • 56篇电路
  • 33篇单粒子
  • 24篇绝缘体上硅
  • 24篇SOI
  • 21篇晶体管
  • 21篇沟道
  • 18篇脉冲
  • 17篇总剂量
  • 17篇半导体
  • 15篇集成电路
  • 15篇背栅
  • 13篇MOS器件
  • 12篇电容
  • 12篇建模方法
  • 12篇存储器
  • 11篇信号
  • 9篇电压
  • 9篇多晶
  • 9篇多晶硅
  • 9篇射频

机构

  • 203篇中国科学院微...
  • 7篇中国科学院大...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇河海大学
  • 1篇大连东软信息...
  • 1篇南开大学
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇中国空间技术...
  • 1篇中国航天

作者

  • 204篇毕津顺
  • 114篇韩郑生
  • 85篇罗家俊
  • 40篇海潮和
  • 29篇卜建辉
  • 27篇刘明
  • 19篇刘刚
  • 17篇曾传滨
  • 16篇李博
  • 16篇宿晓慧
  • 15篇刘梦新
  • 11篇刘璟
  • 11篇张坤
  • 11篇谢元禄
  • 10篇李莹
  • 10篇郝乐
  • 10篇霍长兴
  • 8篇梅博
  • 7篇李多力
  • 7篇王艳

传媒

  • 8篇微电子学
  • 7篇Journa...
  • 6篇半导体技术
  • 4篇物理学报
  • 4篇功能材料与器...
  • 3篇电子器件
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 2篇现代应用物理
  • 1篇核技术
  • 1篇国防科技大学...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇电子设计工程
  • 1篇电气工程与自...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 7篇2023
  • 6篇2022
  • 9篇2021
  • 8篇2020
  • 10篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
  • 13篇2016
  • 16篇2015
  • 18篇2014
  • 13篇2013
  • 31篇2012
  • 21篇2011
  • 9篇2010
  • 5篇2009
  • 11篇2008
  • 6篇2007
  • 5篇2006
  • 3篇2005
共 204 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
DC/DC变换器稳定性的分析方法
2015年
DC/DC变换器属线性混合系统一类.其稳定性分析必须考虑到它们的切换特性.本文介绍一种简单的稳定性分析方法,它可预测被控制的DC/DC变换器在参数变化条件下可能出现的不稳定性及混沌现象.由于它很容易被加入到集成电路的设计流程中,为集成DC/DC变换器设计师提供了一个有效的辅助设计工具.
林雪芳B.Allard毕津顺李博
关键词：DC/DC转换器稳定性分析
SOI MOS晶体管
本发明提供了一种SOI MOS晶体管，包括：形状连续的器件有源区，形成于SOI衬底的SOI层中；栅极，跨器件有源区延伸；源区和漏区，分别位于栅极两侧的器件有源区中；体接触有源区，独立于器件有源区，并且通过不到底隔离电连接...
李莹毕津顺罗家俊韩郑生
文献传递
一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
本发明提供了一种闪烁噪声的测试方法，包括以下步骤：测试待测器件的输出特性；将器件的漏极连接到低噪声电流放大器的输入端；将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为直流模式；打开低噪声电流放大器的电压源，为漏端提供偏置；...
李书振卜建辉毕津顺曾传滨罗家俊韩郑生
文献传递
一种适用于ISFET阵列集成检测系统的读出电路设计被引量：1
2016年
ISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistors)是1种可与CMOS工艺兼容的离子敏感场效应晶体管.随着传感器阵列集成度的不断增加,鉴于响应速度、功耗和成本的局限性,单个ISFET的检测电路不适于大规模集成化的检测系统.从集成化的角度出发,在分析多个读出电路的基础上,比较各自的性能特点,得出1种脉冲宽度调节读出电路,在功耗、转换速度和结构方面都有优势,适合于大规模ISFET传感器阵列的数据读取.并应用分立元件对电路性能进行了验证,通过FPGA采集读出电路输出数据,验证其具有良好的稳定性和可行性.
呼红阳毕津顺李正平李云肖石聪赵爽金虎牛文成岳钊
关键词：PH检测读出电路FPGA
提高SOI器件和电路性能的研究被引量：5
2006年
在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).
海潮和韩郑生周小茵赵立新李多力毕津顺
关键词：SOI浮体效应沟道抗辐照
一种遂穿场效应晶体管及其制造方法
本发明提供一种遂穿场效应晶体管及其制造方法，形成的源区位于部分栅结构下以及栅结构侧面的衬底中，也就是说，栅结构交叠覆盖部分的源区，这样，可以提高栅电压对器件源区/沟道区的电势控制能力，进一步地，源区的面积大于漏区的面积，...
陶桂龙许高博毕津顺徐秋霞
文献传递
一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法
本发明提供一种绝缘体上硅二极管器件的制造方法，该方法包括以下步骤：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层、位于该基底层之上的埋氧层、以及位于该埋氧层之上的器件层；刻蚀部分所述器件层形成沟槽，并在所述沟槽内形成第一浅沟槽隔...
毕津顺海潮和韩郑生罗家俊
文献传递
用于表征硅与二氧化硅界面特性的光学系统及方法
本发明公开了一种用于表征硅与二氧化硅界面特性的光学系统，包括：由硅材料与二氧化硅材料形成的待测样品，该待测样品中具有一硅材料与二氧化硅材料形成的界面；位于待测样品靠近二氧化硅材料一侧的激光产生装置，用于产生向待测样品以一...
毕津顺海潮和韩郑生
文献传递
一种单粒子瞬态脉冲信号幅度测量电路
一种瞬态脉冲幅度测量电路，包括：预处理电路，具有单粒子脉冲接收端、复位输入端、预处理信号输出端、检测信号输出端及正误信号输出端，根据输入脉冲产生预处理信号，及第一级检测信号，并给出正误信号判断输入脉冲宽度是否满足测试要求...
宿晓慧罗家俊郝乐毕津顺李欣欣赵海涛
文献传递
单粒子瞬态脉冲宽度测量电路
本发明公开单粒子瞬态脉冲宽度测量电路，包括单粒子脉冲信号产生电路（103）及至少一级测量电路；由双稳态电路构成测量电路的第一级；从测量电路的第二级开始，每一级电路包括延迟电路、逻辑门电路和双稳态电路；其中第二级电路中，延...
宿晓慧毕津顺
文献传递
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