吕小红
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响被引量：3
- 2007年
- 高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因.
- 赵有文苗杉杉董志远吕小红邓爱红杨俊王博
- 关键词：磷化铟退火半绝缘
- 空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响
- 利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位缺陷,这些空位产生深能级补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制...
- 赵有文董志远吕小红段满龙孙文荣
- 关键词：磷化铟空位正电子寿命谱
- 文献传递
- InP、InAs和GaSb单晶材料缺陷和晶体完整性研究
- 本文利用X-射线衍射技术，结合材料电学性质测试、深能级热激电流谱和正电子寿命谱等方法，研究了InP单晶、InAs单晶和GaSb单晶材料的缺陷和晶格完整性。研究的样品包括：不同生长条件下(常规LEC法、炉内磷注入合成LEC...
- 吕小红
- GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性被引量：1
- 2007年
- 通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.
- 吕小红赵有文孙文荣董志远
- 关键词：INAS单晶
- 空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响
- 2007年
- 利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.
- 赵有文吕小红董志远段满龙孙文荣
- 关键词：磷化铟半绝缘空位
