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吴璟

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术轻工技术与工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 12篇键合
  • 11篇圆片
  • 7篇圆片级
  • 5篇光刻
  • 5篇封装
  • 4篇掩膜
  • 4篇三明治
  • 3篇斜坡
  • 3篇光刻胶
  • 3篇感器
  • 3篇版图
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电荷
  • 2篇电容间隙
  • 2篇电容式
  • 2篇电容式压力
  • 2篇电容式压力传...

机构

  • 23篇中国电子科技...

作者

  • 23篇吴璟
  • 21篇朱健
  • 11篇贾世星
  • 9篇郁元卫
  • 6篇黄旼
  • 5篇石归雄
  • 2篇卓敏
  • 2篇黄镇
  • 2篇侯智昊
  • 2篇程伟
  • 2篇张龙
  • 2篇赵岩
  • 2篇刘梅
  • 2篇周相杰
  • 2篇侯芳
  • 2篇林立强
  • 2篇王守旭
  • 1篇陈辰
  • 1篇吴杰

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用接触式光刻机提高丝网印刷精确对准装置及其方法
本发明是一种利用接触式光刻机提高丝网印刷精确对准装置及其方法，光刻时，将装有丝网印刷掩膜图形的定位夹具框插入到接触式光刻机里，通过辅助垫片调节高度，设置压缩空气将承片台向上运动，并通过传感感应实现X-Y-Z光刻预定位，通...
朱健周相杰贾世星吴璟
硅-玻璃键合界面金属导线与悬空可动结构间电荷释放法
本发明是一种硅-玻璃键合界面金属导线与悬空可动结构间电荷释放法，包括在器件版图设计上增加一种键合时辅助放电，键合后去除的结构，用来辅助硅基芯片单元的悬空可动部分电荷释放；通过辅助结构，金属引线与所有硅基悬空腔体结构实现欧...
贾世星石归雄朱健吴璟
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采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法
本发明是采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法，包括工艺步骤：1）将硅片按照所需要的图形刻蚀穿通，制作好硅片掩膜版；2）将待沉积薄膜的基片与硅片掩膜版固定，其中包括控制基片与硅片掩膜版之间的间距，以及基片与硅片掩膜...
禹淼朱健郁元卫吴璟黄旼王守旭
文献传递
一种针对玻璃-硅-玻璃三明治结构防水圆片级封装方法
本发明是一种针对玻璃-硅-玻璃三明治结构防水圆片级封装方法，至少包括在版图设计中通过增、减三种辅助结构实现“三明治”密闭封装结构；低阻硅基芯片单元外围增加硅基围墙结构；每个焊盘引线结构向外延伸一段引线至围墙内侧；围墙外侧...
朱健吴璟刘梅石归雄
针对射频微系统器件的三维键合堆叠互连集成制造方法
本发明是针对射频微系统器件的三维键合堆叠互连集成制造方法，包括高阻硅作为基板或转接板；基板或转接板上通过多层介质‑金属交替完成布线用于射频信号传输与控制；异质类化合物芯片通过chip to wafer键合实现异质集成，所...
石归雄黄旼吴璟朱健郁元卫
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基于光刻胶的临时键合及去键合的方法
本发明是一种基于光刻胶（ProLIFT100）的临时键合及去键合的方法，其特征是包括临时键合及去键合。优点是：GaAs、GaN等化合物半导体晶圆加工的一些关键工艺如背面金属化、背面通孔的刻蚀等步骤在200摄氏度以上高温下...
赵岩程伟吴璟
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利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法
本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法，使用具有图形化通孔结构的薄层作为介质膜掩膜板进行金属薄膜的沉积，介质膜掩膜板和需要生长金属薄膜的衬底间的间距可调，产生的图形化金属薄膜具有斜坡状...
黄旼朱健郁元卫吴璟禹淼
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圆片级封装结构及其引线焊盘电信号引出方法
本发明提供一种利用多步径、精密控深的划片技术实现针对圆片级封装结构器件的引线焊盘的电信号引出方法，包括以下特征：所述圆片级封装结构包括上层结构、中层结构和下层支撑；其中中层结构外围有一键合环，下层支撑上分布有芯片结构的引...
朱健侯芳贾世星吴璟
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采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法
本发明采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，至少包括采用多层光刻胶的胶膜结构作为镀膜的牺牲层材料，图形化后上层胶比下层胶要多伸出一段距离悬空，悬挂在基板的上方一定高度，然后带胶镀膜，剥离成膜，具体包括基板涂覆下层...
吴璟吴杰禹淼黄旼朱健郁元卫
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用于三明治结构MEMS硅电容压力传感器侧墙保护方法
本发明提供一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法，防止传感器在制作工艺过程中灰尘、水对电容间隙污染的工艺方法。其特征是在MEMS电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助...
朱健贾世星侯智昊吴璟黄镇
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