徐建彬
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：安徽大学更多>>
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- 一种新型双掺杂多晶硅栅MOSFET的研究
- DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件,它具有提高驱动电流,提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺陷,例如关态电流和栅泄漏电流都比普通单栅MOS器件大很多,其跨导受到短沟道效应而减小...
- 徐建彬
- 关键词：栅电容
- 文献传递
- 新型双栅MOSFET的亚阈值电势二维模型
- 根据新型双栅MOSFET的工作原理,在氧化层区和沟道耗尽层区引入两个矩形源,借助于半解析法,利用边界条件及衔接条件,求解各个区的二维拉普拉斯方程或泊松方程,为新型双栅MOSFET建立亚阈值条件下的电势二维模型.该模型的优...
- 许会芳代月花徐建彬李宁杨金
- 关键词：亚阈值氧化层
- 缺陷对电荷俘获存储器写速度影响被引量：4
- 2014年
- 基于密度泛理论的第一性原理以及VASP软件,研究了电荷俘获存储器(CTM)中俘获层HfO2在不同缺陷下(3价氧空位(VO3)、4价氧空位(VO4)、铪空位(VHf)以及间隙掺杂氧原子(IO))对写速度的影响.对比计算了HfO2在不同缺陷下对电荷的俘获能、能带偏移值以及电荷俘获密度.计算结果表明:VO3,VO4与VHf为单性俘获,IO则是双性俘获,HfO2在VHf时俘获能最大,最有利于俘获电荷;VHf时能带偏移最小,电荷隧穿进入俘获层最容易,即隧穿时间最短;同时对电荷俘获密度进行对比,表明VHf对电荷的俘获密度最大,即电荷被俘获的概率最大.通过对CTM的写操作分析以及计算结果可知,CTM俘获层m-HfO2在VHf时的写速度比其他缺陷时的写速度快.本文的研究将为提高CTM操作速度提供理论指导.
- 汪家余赵远洋徐建彬代月花
- 关键词：第一性原理
- 一种型双掺杂多晶硅栅MOSFET的研究
- DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件，它具有提高驱动电流，提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺陷，例如关态电流和栅泄漏电流都比普通单栅MOS器件大很多，其跨导受到短沟道效应而减小...
- 徐建彬
- 关键词：截止频率多晶硅栅
- 文献传递
- 电荷俘获存储器的过擦现象
- 2014年
- 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法和VASP软件对电荷俘获存储器过擦现象进行了分析研究.通过形成能的计算,确定了含有氮空位缺陷的Si3N4和含有间隙氧缺陷的Hf O2作为研究的对象;俘获能的计算结果表明两种体系对电子的俘获能力比对空穴的大,因而对两体系擦写载流子确定为电子.分别计算了Hf O2和Si3N4擦写前后的能量、擦写前后电荷分布变化、吸附能和态密度,以说明过擦的微观机理.对能量和擦写电荷变化的研究,表明Si3N4相比于Hf O2,其可靠性较差,且Si3N4作为俘获层,在一个擦写周期后,晶胞中电子出现减少现象;界面吸附能的研究表明,Si3N4相比于Hf O2在缺陷处更容易与氧进行电子交换;最后,通过对态密度的分析表明Si3N4和Hf O2在对应的缺陷中均有缺陷能级俘获电子,前者为浅能级俘获,后者为深能级俘获.综上分析表明,Si3N4在氮空位的作用下,缺陷附近原子对电子的局域作用变弱,使得Si3N4作为俘获层时,材料本身的电子被擦出,使得擦操作时的平带偏移电压增大,导致存储器发生过擦.本文的研究结果揭示了过擦的本质,对提高电荷俘获存储器的可靠性以及存储特性有着重要的指导意义.
- 汪家余代月花赵远洋徐建彬杨菲代广珍杨金
- 关键词：HFO2SI3N4第一性原理
