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李德君

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：安徽大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院重大科研装备研制项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇高K材料
  • 1篇电路
  • 1篇电路结构
  • 1篇电路结构设计
  • 1篇隧穿
  • 1篇可靠性
  • 1篇非挥发性存储...
  • 1篇非易失性
  • 1篇非易失性存储
  • 1篇非易失性存储...
  • 1篇俘获
  • 1篇NVM
  • 1篇SPICE仿...
  • 1篇变型
  • 1篇存储器单元

机构

  • 3篇安徽大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 3篇李德君
  • 2篇陈军宁
  • 2篇代月花
  • 1篇张满红
  • 1篇刘璟
  • 1篇胡媛
  • 1篇杨潇楠
  • 1篇王永
  • 1篇柯导明
  • 1篇王琴
  • 1篇龙世兵
  • 1篇刘明
  • 1篇杨仕谦

传媒

  • 1篇现代电子技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
MAHOS结构电荷俘获型存储器研究
目前，Flash Memory在非易失性半导体存储器市场上占有很大的份额，因为它具有高密度、低功耗、小体积和高可靠性等优点。但是随着微电子技术节点的不断向前推进，尤其是器件尺寸减小到45nm、32nm技术节点时，传统的浮...
李德君
关键词：高K材料可靠性
文献传递
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展被引量：2
2009年
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。
李德君刘明龙世兵王琴张满红刘璟杨仕谦王永杨潇楠陈军宁代月花
关键词：高K材料
阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真被引量：1
2009年
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。
李德君代月花陈军宁柯导明胡媛
关键词：非易失性存储器
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