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王玉光

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 5篇氧化物
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇金属
  • 4篇晶态
  • 4篇沟道
  • 4篇非晶
  • 4篇非晶态
  • 4篇半导体
  • 4篇衬底
  • 3篇晶体管
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电路
  • 2篇电势
  • 2篇读出电路
  • 2篇射线
  • 2篇探测器
  • 2篇探测器阵列
  • 2篇平板探测器
  • 2篇转换器件

机构

  • 11篇中国科学院微...

作者

  • 11篇王玉光
  • 10篇殷华湘
  • 10篇陈大鹏
  • 8篇董立军

传媒

  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2013
  • 1篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
X射线平板探测器及其制造方法
根据本发明的一方面，提供一种X射线平板探测器及其制造方法。X射线平板探测器包括按照矩阵排列的多个像素单元，每一个像素单元包括在绝缘衬底上集成在一起的一个传感器和一个像素读出电路，其中，所述像素读出电路包括位于至少一个薄膜...
殷华湘王玉光董立军陈大鹏
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X射线探测器及其制造方法
本申请公开了一种X射线探测器及其制造方法。该X射线探测器，包括：互连基板；穿透互连基板并在其两个主表面上露出的键合互连；与互连基板的一个主表面键合的光电转换器件芯片；以及与互连基板的另一个主表面键合的CMOS像素读出芯片...
殷华湘王玉光董立军陈大鹏
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单片集成红外焦平面探测器
本发明提供了一种单片集成红外焦平面探测器，包括：衬底；TFT信号读出电路阵列以及TFT信号处理电路阵列，位于衬底之上；红外探测像素单元阵列，位于TFT信号读出电路阵列之上。相应地，本发明还提供了单片集成红外焦平面探测器的...
殷华湘王玉光陈大鹏
文献传递
X射线平板探测器及其制造方法
根据本发明的一方面，提供一种X射线平板探测器及其制造方法。X射线平板探测器包括按照矩阵排列的多个像素单元，每一个像素单元包括在绝缘衬底上集成在一起的一个传感器和一个像素读出电路，其中，所述像素读出电路包括位于至少一个薄膜...
殷华湘王玉光董立军陈大鹏
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高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
本发明提供了一种高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘介质层、非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极以及钝化层，其特征在于：沟道层包括至少一个由第一型材料构成的沟道保护层以及至少一个由第二型材料构成...
殷华湘王玉光董立军陈大鹏
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光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件
本发明提供了一种光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、倒栅电极、栅绝缘介质层、由非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极、钝化层、穿过钝化层与源漏电极接触的驱动电极，其特征在于：钝化层的顶部还具有能高吸收紫外光的...
殷华湘王玉光董立军陈大鹏
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高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件
本发明提供了一种高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、栅电极、栅绝缘介质层、非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极以及钝化层，其特征在于：沟道层包括至少一个由第一型材料构成的沟道保护层以及至少一个由第二型材料构成...
殷华湘王玉光董立军陈大鹏
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光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件
本发明提供了一种光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件，包括衬底、倒栅电极、栅绝缘介质层、由非晶态金属氧化物构成的沟道层、源漏电极、钝化层、穿过钝化层与源漏电极接触的驱动电极，其特征在于：钝化层的顶部还具有能高吸收紫外光的...
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锡纳米颗粒的氧化
锡的氧化物在气体传感器方面有重要的应用。这种应用直接取决于表面的结构，纳米结构材料可以提供极大的表面反应面积。
王玉光
单片集成红外焦平面探测器
本发明提供了一种单片集成红外焦平面探测器，包括：衬底；TFT信号读出电路阵列以及TFT信号处理电路阵列，位于衬底之上；红外探测像素单元阵列，位于TFT信号读出电路阵列之上。相应地，本发明还提供了单片集成红外焦平面探测器的...
殷华湘王玉光陈大鹏
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