吴雯
- 作品数：9 被引量：15H指数：2
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：武汉市科技攻关计划项目湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好....
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔ALN薄膜
- 文献传递
- 射频反应溅射制备倾斜AlN薄膜
- 2010年
- 采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。
- 吴雯熊娟杜鹏飞陈侃松顾豪爽
- 关键词：ALN薄膜
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器被引量：1
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征结果证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537 GHz,机电耦合系数3.75%,串、并联品质因数分别为101.8、79.7.
- 叶芸吴雯刘婵胡光张凯顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得的空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数为3.75%,串、并联品质因数分别为101.8和79.7.
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
- C轴倾斜AlN薄膜的制备研究
- 2011年
- 采用射频磁控反应溅射,利用两步气压法在Pt电极上制备C轴倾斜的A1N压电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)分析两步气压下制备的A1N薄膜的择优取向,用扫描电镜(SEM)观察薄膜的截面形貌.实验结果表明在优化工艺参数条件下制备的AlN薄膜为C轴倾斜的柱状晶,且柱状晶与C轴的倾斜角度达到5°.并且初步探讨两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜的生长机理.
- 杜鹏飞熊娟吴雯谢红顾豪爽
- 关键词：ALN薄膜
- 固态封装型的体声波谐振器的制备与性能分析被引量：2
- 2009年
- 以Ti/Mo为布喇格反射层,在Mo底电极上沉积了高c轴择优取向的AlN薄膜,并采用微机电系统(MEMS)工艺制备了固态封装型体声波谐振器。用原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)测试了布喇格反射层的粗糙度和截面,用微波探针台和网络分析仪测试了以优化工艺参数条件制备的谐振器(FBAR)的频率特性,得到谐振器的谐振频率为2.51GHz,有效机电耦合系数为3.89%,串并联品质因数为134.2和97.8。
- 熊娟顾豪爽胡宽吴小鹏吴雯
- 关键词：体声波谐振器表面粗糙度
- AlN薄膜体声波梯形滤波器的制备与性能分析被引量：1
- 2009年
- 用Mason一维等效电路模型模拟了不同级数的梯形体声波滤波器的传输特性。讨论了谐振器级联数对滤波器插入损耗和带外抑制的影响。以AlN薄膜为压电材料,采用微机电系统(MEMS)工艺流程制备了3级梯形结构的滤波器,用扫描电镜照片(SEM)和网络分析仪表征了器件的结构和传输响应特性,测试结果表明,所制备的滤波器结构完整,图形整齐,并得到滤波器的带宽为180MHz,带外衰减为-10.12dB,插入损耗为-5.15dB。
- 熊娟顾豪爽胡宽吴小鹏吴雯
- 关键词：滤波器薄膜体声波谐振器ALN
- 基于倾斜AlN薄膜的体声波质量传感器的制备及性能分析被引量：2
- 2009年
- 提出通过改变溅射气压获得倾斜于C轴的AlN薄膜的制备方法,探讨了倾斜AlN薄膜的生长机理。以3对交替沉积的Ti—Mo金属层为布拉格声学反射层,采用MEMS工艺制备了基于倾斜AlN薄膜的、以剪切模式振动的体声波液体传感器,并对器件的S11参数进行测试分析,得到传感器的中心频率为0.78GHz,表明该器件在生物液相检测领域具有一定的应用前景。
- 熊娟顾豪爽吴雯杜鹏飞胡明哲
- 关键词：质量传感器磁控溅射
- MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究被引量：10
- 2007年
- 探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.
- 张凯顾豪爽胡光叶芸吴雯刘婵
- 关键词：微机电系统湿法刻蚀刻蚀速率表面粗糙度
