贾林楠
- 作品数：2 被引量：15H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 界面效应调制忆阻器研究进展被引量：15
- 2012年
- 忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.
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- 纳米点调控氧化物忆阻器电导特性研究进展
- 2014年
- 从调控氧化物忆阻器电导特性的主要方法与机理出发,综述了纳米点在氧化物忆阻器电导行为调制及其参数稳定性改善等方面的研究进展。针对纳米点调控氧空位的扩散迁移、电场迁移及其共同作用,分析了纳米点对氧化物忆阻器的电形成过程、开态过程和关态过程的作用机制,并讨论了其对参数均一性、耐久能力、疲劳特性、电阻比率及开关时间等参数的影响。结果表明,纳米点的引入可以显著改善忆阻器性能参数的稳定性和可控性,并进一步指出纳米点在优化其电导特性方面存在的不足和可能的解决措施,预测了性能优化的氧化物忆阻器在非易失存储、人工神经网络等领域的应用前景。
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- 关键词：纳米点氧空位
