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鲁庆

作品数：3 被引量：12H指数：1
供职机构：北京大学信息科学技术学院微米纳米加工技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇亚微米
  • 2篇深亚微米
  • 2篇总剂量
  • 2篇微米
  • 2篇超深亚微米
  • 1篇总剂量辐照
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇晶体管
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇辐照特性
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇MOSFET
  • 1篇MOSFET...
  • 1篇场效应

机构

  • 3篇北京大学
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 3篇鲁庆
  • 2篇黄如
  • 1篇王思浩
  • 1篇安霞
  • 1篇王文华
  • 1篇王鹏飞

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
提高MOSFET抗单粒子辐照的方法及一种MOSFET器件
本发明公开了一种提高MOSFET抗单粒子辐照的方法及一种MOSFET器件，属于场效应晶体管技术领域。在本发明MOSFET器件中，STI区沟槽侧壁与器件有源区上表面的锐夹角定义为，器件抗单粒子辐照所引起微剂量效应的角度，该...
王鹏飞黄如鲁庆
文献传递
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善被引量：12
2010年
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂器件的泄漏电流低2—3个量级;而在辐照剂量>500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据.
王思浩鲁庆王文华安霞黄如
关键词：总剂量效应
小尺寸器件的总剂量辐照特性研究
由于辐照环境的存在，会导致器件辐照特性的严重退化，且随着器件尺寸的缩小，总剂量辐照特性会变得越来越严重。本论文主要研究了超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性(Totalionizingdose，TID)。针对由于总剂量辐...
鲁庆
关键词：超深亚微米总剂量辐照泄漏电流
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