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齐晓霞

作品数:9 被引量:10H指数:2
供职机构:太原理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山西省自然科学基金山西省基础研究计划项目更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇形貌
  • 2篇阵列
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇溶胶凝胶法
  • 2篇碳粉
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅纳米线
  • 2篇线阵列
  • 2篇纳米碳
  • 2篇纳米碳粉
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇固相法
  • 2篇硅纳米线
  • 2篇硅片

机构

  • 5篇中北大学
  • 4篇太原理工大学

作者

  • 8篇齐晓霞
  • 3篇许并社
  • 3篇梁建
  • 3篇马淑芳
  • 2篇余春燕
  • 2篇贾伟
  • 1篇王志明
  • 1篇翟光美

传媒

  • 2篇材料研究与应...
  • 1篇稀有金属与硬...
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇四川兵工学报

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
9 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法
一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法,属于纳米技术领域。包括如下步骤:(1)将正硅酸乙酯加入乙醇水溶液中,向其中滴入氨水,混合均匀后,再向其中加入纳米碳粉,混合均匀;(2)凝胶化处理,所得凝胶经干燥、研磨,得到干凝胶粉末;...
许并社齐晓霞马淑芳贾伟梁建余春燕
文献传递
SiC纳米阵列和异质结构的调控生长、形成机理及性能研究
碳化硅(SiC)是具有高的禁带宽度的第三代半导体材料,具有许多优良的性质:如抗电压击穿能力强、高电子饱和速度和电子迁移率、高热导率、低介电常数、抗辐射能力强,以及机械性能良好等,是适合制作大功率、高频率、高温、高压以及耐...
齐晓霞
关键词:溶胶凝胶法CVD法光催化性能场发射性能
Ag作催化剂制备的SiC纳米材料的形貌及其发光性能被引量:1
2016年
用化学气相沉积法(CVD)通过碳热还原反应在Si(100)衬底上以Ag纳米颗粒为催化剂制备了糖葫芦状的SiC纳米棒。硅源为溶胶凝胶制备的SiO_2,碳源为炭粉。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、荧光光谱(PL)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明,SiC纳米棒都其有周期性的凹凸,形状貌似糖葫芦状,长度范围为300~600 nm,而直径为30~50 nm。纳米结构生长机制为VLS生长模式,其中Ag催化剂对其形貌起到至关重要的影响。室温下SiC纳米棒的PL发光峰与块体SiC的发光特征峰相比有蓝移。
齐晓霞许并社翟光美梁建马淑芳
关键词:溶胶凝胶法显微结构
红色长余辉发光材料CaTiO_3:Pr^(3+)余辉性能的改进被引量:2
2009年
采用掺入Zn来改良红色长余辉发光材料CaTiO3:Pr3+的发光亮度及余辉性能.通过对该材料的X射线衍射谱、发光光谱和余辉衰减过程进行分析与测试,发现改变Zn的掺入量对该发光粉体余辉性能的影响规律,当Zn2+的含量为15%~25%时,发光粉体具有最佳的余辉性质.
齐晓霞
关键词:长余辉高温固相法
H_3BO_3添加量对CaTiO_3∶Pr^(3+)余辉性能的影响被引量:4
2010年
采用高温固相法合成CaTiO3∶Pr3+,并通过掺杂H3BO3改性。研究样品的发射光谱、发光亮度及余辉时间,探讨H3BO3添加量对CaTiO3∶Pr3+发光强度及余辉性能的影响。结果表明,所添加H3BO3的摩尔分数为15%时,CaTiO3∶Pr3+粉末具有最佳的余辉性能。
齐晓霞王志明
关键词:高温固相法
反应时间对微波冷凝回流制备PbS纳米材料形貌的影响
2013年
采用微波辐射法并借助冷凝回流装置,在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵的保护下,以二甲基亚砜为溶剂,三水合醋酸铅和硫脲分别作为铅源和硫源,成功地合成了星形结构的PbS.利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和PL荧光光谱仪,对所得PbS纳米产物的形貌、物相和光学性能进行分析表征.并通过研究不同加热反应时间对产物形貌和微观结构的影响,得到了快速制备星形结构PbS的最佳条件.结果表明,在反应时间为10min时,可制备得到具有星形结构的PbS纳米材料,并具有单色发光特性.此外,对PbS纳米产物的生长机理也作了进一步研究探讨.
齐晓霞
关键词:PBS微波法
一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法
一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法,属于纳米技术领域。包括如下步骤:(1)将正硅酸乙酯加入乙醇水溶液中,向其中滴入氨水,混合均匀后,再向其中加入纳米碳粉,混合均匀;(2)凝胶化处理,所得凝胶经干燥、研磨,得到干凝胶粉末;...
许并社齐晓霞马淑芳贾伟梁建余春燕
H_3BO_3对微波加热法合成Sr_2MgSi_2O_7∶Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉发光材料性能的影响被引量:3
2012年
采用微波加热法在碳粉还原的条件下制备出发光亮度高、余辉性能较为优良的Sr2MgSi2O7∶Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,并研究了H3BO3添加量对其相组成结构、光谱性能和余辉性能的影响.实验结果表明,添加适量的H3BO3可以改善Sr2MgSi2O7∶Eu2+,Dy3+的发光强度和余辉性质.当添加H3BO3的摩尔分数(相对于基质)为20%时,发光粉体具有最佳的发光亮度和余辉性质.
齐晓霞
关键词:长余辉微波加热法
共1页<1>
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