于连英
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 添加剂对TiO_2基敏感材料特性的影响被引量：1
- 2005年
- 在金红石结构的TiO2中掺入质量分数为10%的Nb2O5,0.5%的Sb2O3和2%的In,可以充分发挥添加剂的强催化作用,使敏感器件在空气中的阻值降低到10MΩ以下,并在一定程度上提高器件灵敏度,响应三甲胺(TMA)气体的最低下限体积分数为1×10-6.
- 黄萍裴素华孙海波李秀琴于连英
- 关键词：TIO2灵敏度掺杂
- 低阻TiO_2基三甲胺气体传感器性能分析被引量：3
- 2005年
- 按旁热式结构采用以TiO2为基质对InSb2O3Nb2O5氧化物不同的重量比去掺杂研制成的三甲胺(TMA)气体传感器,大幅度降低了加热功率和其在空气中的阻值,器件对响应TMA气体具有灵敏度高、响应时间快、恢复时间短、长期稳定等特点,对干扰气体NH3具有良好的选择性。
- 黄萍裴素华孙海波于连英李秀琴
- 关键词：气体传感器敏感元件三甲胺
- Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析被引量：2
- 2005年
- 为进一步揭示Ga在SiO_2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究。结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性;二次氧化过程Ga产生异常分凝特性。上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态。对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品。
- 裴素华修显武孙海波黄萍于连英
- 关键词：GA
- Ga在SiO_2/Si系下的扩散模型与分布规律被引量：3
- 2005年
- 为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO2中的固溶度较低而扩散系数很大,故形成线性分布形式,Ga在Si中的溶解度相比SiO2很大,SiO2-Si界面的分凝使其以较高平衡浓度分配入硅中,两者的连续确立了开管扩Ga模型。(2)在严格控制硅片温度TSi、杂质源分解温度TGa2O3、反应气体流量CH2,调整预沉积、再分布及其两者的重复组合,便可在硅内得到任意理想的杂质分布;(3)Ga原子是通过理想表面(SiO2-Si界面)扩散入体内,避免与外界的接触沾污,获得了高均匀性、高重复性的扩散表面及非常平行的平面结。
- 裴素华张晓华孙海波于连英
