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张晓华

作品数：4 被引量：5H指数：2
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇SI
  • 4篇SIO
  • 4篇GA
  • 1篇热分布
  • 1篇复合结构
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇钙
  • 1篇掺杂

机构

  • 4篇山东师范大学
  • 1篇南开大学

作者

  • 4篇张晓华
  • 3篇裴素华
  • 3篇孙海波
  • 2篇修显武
  • 1篇于连英
  • 1篇江玉清
  • 1篇周忠平

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
P型杂质Ga在SiO/_2-Si内界面的分凝特性研究与探讨
关于受主杂质Ga在SiO/_2／Si系统进行开管掺杂的研究已有几十年的历史，研究的内容与追求的目标主要集中在如何获得高均匀性、重复性的扩散表面和提高器件电学性能的硅体内杂质分布形式，而对Ga在SiO/_2-Si内界面上分...
张晓华
文献传递
P型杂质Ga在SiO_2-Si内界面分凝规律研究
2003年
采用开管方式和SiO_2/Si系统,实现了P型杂质Ca在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ca在SiO_2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。
裴素华修显武孙海波周忠平张晓华
关键词：GA钙掺杂半导体器件
Ga在SiO_2-Si复合结构中的热分布研究被引量：5
2005年
用 H2 和 Ga_2O_3的高温反应形成元素 Ga 的恒定表面源,通过 SiO_2-Si 复合结构实现了 Ga 在 Si 中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对 P 型杂质 Ga 在 SiO_2薄膜、SiO_2-Si 两固相接触的内界面、近 Si 表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散 Ga 的实质是由 SiO_2薄膜对 Ga 原子的快速输运及其在 SiO_2-Si 内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程 Ga 杂质浓度分布机理进行了分析和讨论。
裴素华孙海波修显武张晓华江玉清
关键词：GA
Ga在SiO_2/Si系下的扩散模型与分布规律被引量：3
2005年
为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO2中的固溶度较低而扩散系数很大,故形成线性分布形式,Ga在Si中的溶解度相比SiO2很大,SiO2-Si界面的分凝使其以较高平衡浓度分配入硅中,两者的连续确立了开管扩Ga模型。(2)在严格控制硅片温度TSi、杂质源分解温度TGa2O3、反应气体流量CH2,调整预沉积、再分布及其两者的重复组合,便可在硅内得到任意理想的杂质分布;(3)Ga原子是通过理想表面(SiO2-Si界面)扩散入体内,避免与外界的接触沾污,获得了高均匀性、高重复性的扩散表面及非常平行的平面结。
裴素华张晓华孙海波于连英
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