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付盈盈

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇衬底
  • 5篇介质
  • 5篇介质薄膜
  • 4篇栅介质
  • 4篇栅介质薄膜
  • 3篇电子领域
  • 3篇微电子领域
  • 2篇电容
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层结构
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇退火
  • 2篇躯体
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇膜厚
  • 2篇金属氧化物薄...
  • 2篇工作性能
  • 2篇薄膜厚度

机构

  • 8篇南京大学

作者

  • 8篇付盈盈
  • 7篇吴迪
  • 7篇李爱东
  • 6篇刘晓杰
  • 5篇李学飞
  • 2篇章闻奇
  • 2篇李辉
  • 2篇黄柳英
  • 1篇曹燕强

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法
本发明公开了一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法，首先将GaAs衬底用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用氢溴酸溶液浸泡GaAs衬底，除去表面的氧化层；接着放入加热到50℃的(NH<Sub>4</Sub>)<Sub>2</...
付盈盈李爱东曹燕强李学飞吴迪
文献传递
一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法
本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和...
李爱东黄柳英刘晓杰付盈盈吴迪
一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法
本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>...
李学飞李爱东章闻奇刘晓杰付盈盈吴迪
文献传递
一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法
本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和...
李爱东黄柳英刘晓杰付盈盈吴迪
文献传递
调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法
本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为开始层，交替Al<Sub>2</Sub>...
李学飞李爱东付盈盈刘晓杰李辉吴迪
文献传递
高介电薄膜材料的原子层沉积技术制备、表征及其在微电子领域的应用研究
随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料与技术面临巨大挑战。 原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)技术可以对膜厚进行精确控制,在深亚微米集成电路和纳...
付盈盈
关键词：GAAS金属-氧化物-半导体场效应晶体管
文献传递
一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法
本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法，首先对锗衬底进行清洗、钝化；将钝化好的衬底放入ALD反应室中，温度为140-170℃，以三甲基铝Al(CH<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>...
李学飞李爱东章闻奇刘晓杰付盈盈吴迪
调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法
本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为开始层，交替Al<Sub>2</Sub>...
李学飞李爱东付盈盈刘晓杰李辉吴迪
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