余连杰
- 作品数：35 被引量：61H指数：5
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省应用基础研究计划面上项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法
- 本发明提供一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法，其工艺步骤为：A.衬底清洗；B.沉积金属下电极；C.光刻；D.干法刻蚀(下电极成型)；E.去胶清洗；F.磁控溅射(非晶碲镉汞光敏材料生长)；G.光刻；H.干法刻蚀...
- 史衍丽庄继胜余连杰杨丽丽孔令德李雄军莫镜辉孙祥乐
- 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法
- 非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器，其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成，其中，非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结，金属第一电极与非晶态碲镉汞连接，金属第二电极与晶态硅基底连接。其制备工...
- 史衍丽余连杰何雯瑾邓功荣李雄军杨丽丽姬荣斌
- 文献传递
- 一种非晶态碲镉汞线列探测器的信号处理电路
- 一种非晶态碲镉汞线列探测器的信号处理电路，其特征在于由非晶态探测器与集成信号处理电路电学接口、非晶态探测器阻抗适配放大电路、并行信号串行转换与时序输出电路组成，其中，处理电路电学接口是探测器与信号处理电路的物理接口，按照...
- 胡旭姬荣斌李煜李龙孔金丞孙琪艳余连杰袁俊
- InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器研究现状被引量：6
- 2007年
- InAs/GaSbⅡ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,旨在尽快发展属于我国的第三代InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器技术。
- 史衍丽余连杰田亚芳
- 关键词：红外探测器
- 叠盖电极技术在SPRITE探测器上的应用
- 2003年
- 文中主要介绍了叠盖电极技术在SPRITE探测器上的实际应用,并给出了具体实验结果。选择适当的叠盖电极尺寸可以使SPRITE的响应率Rv提高一倍以上,探测率D 普遍提高30%左右,高的可达80%。实验结果表明,叠盖电极技术明显地提高了SPRITE器件的性能,是一种简便的提高SPRITE性能的新途径。
- 余连杰杨文运赵鹏朱远波朱惜辰
- 关键词：叠盖电极碲镉汞红外探测器结构原理
- 台面PN结InSb红外探测器响应时间研究被引量：4
- 2016年
- 分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟(In Sb)红外探测器,实验制备了台面p^+-on-n结构的探测器。通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合。采用脉冲响应测试了In Sb探测器的响应时间(0.3μs),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距。
- 马启邓功荣苏玉辉余连杰信思树龚晓霞陈爱萍赵鹏
- 关键词：红外探测器量子效率
- 碲镉汞雪崩光电二极管的发展被引量：4
- 2011年
- 雪崩光电二极管（APD）工作在足够的反偏下，光生载流子到达耗尽区并诱发放大过程。碲镉汞（MCT）电子和重空穴有效质量之间的非对称性会产生不相等的电子电离系数和空穴电离系数，提供一个由单独一类载流子诱发的碰撞电离过程，从而形成具有包括接近无噪声增益在内的“理想”APD特征的电子雪崩光电二极管（EAPD）。对于包括低光子数在内的各种探测器应用，国外已经实现了高增益（-7×10^3）、过剩噪声因子接近于1、THz增益带宽积、皮秒级快速响应的MCT／EAPD器件。在对国外部分文献进行归纳与分析的基础上，主要介绍了近年来有关MCT／EAPD的基础问题、器件结构、技术发展以及性能指标等方面的现状。
- 王忆锋陈洁余连杰胡为民
- 关键词：红外探测器碲镉汞雪崩光电二极管带宽
- 宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法
- 宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器包括：衬底；碲化铋（Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>），形成于衬底上，并进行快速退火处理；PbS胶体量子点，形成于碲化铋（...
- 唐利斌余黎静田品郝群钟和甫左文彬苏润红李志华杨敏马启余连杰
- 基于目标/系统特征设计雪崩光电二极管增益
- 2011年
- 以即时全球打击(prompt global strike,PGS)武器的早期预警为应用背景,介绍了理想条件下从PGS投射到探测器上光子数的估算方法。给出了基于探测器量子效率的光生电荷数的计算方法。讨论了PGS辐射特征和运动特征、光生电荷数以及可检测电流阈值对于APD增益设计的影响。
- 王忆锋余连杰陈洁何雯瑾
- 关键词：单光子探测器雪崩光电二极管增益
- 退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响
- 利用射频磁控溅射方法，在宝石衬底上制备了非晶态HgCdTe薄膜。对原生非晶态HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火，在80K-300K温度范围内，分别测量了原生和退火处理后的非晶态HgCdTe薄膜样品的...
- 余连杰史衍丽李雄军杨丽丽邓功荣何雯瑾莫镜辉
- 关键词：非晶态半导体
