张凯
- 作品数：15 被引量：18H指数：2
- 供职机构：湖北大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 高能球磨制备0．3BiFeO_3—0．7SrBi_2Nb_2O_9陶瓷及其介电性能研究
- 2007年
- 采用高能球磨制备0.3BiFeO_3-0.7SrBi_2Nb_2O_9陶瓷.利用XRD和SEM分析球磨时间对粉体物相结构及微观形貌的影响.结果表明:随球磨时间的增加,粉体结晶度提高,颗粒不断细化,但在22.62°处有杂峰出现,经700℃退火杂峰消失.高能球磨制备的陶瓷的介电常数较传统固相反应制备的陶瓷提高30左右.
- 谢艳顾豪爽胡明哲张凯
- 关键词：高能球磨微观形貌介电常数
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好....
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔ALN薄膜
- 文献传递
- 1.6 GHz薄膜体声波谐振器研究被引量：1
- 2009年
- AlN材料具有良好的压电特性和很高的声波速度,是制作性能优良薄膜体声波器件的首选材料之一。对氮化铝薄膜体声波谐振器原理进行了分析,探讨了氮化铝薄膜体声波谐振器的设计方法,在制备高c-轴取向氮化铝薄膜的基础上,通过上电极和氮化铝薄膜一次光刻两步刻蚀工艺方法制作了1.6 GHz氮化铝薄膜体声波谐振器,并探讨了谐振器的频率影响因素。
- 胡靖华孙晓冬张凯张小玲胡光顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器
- AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1．759GHz，机电耦合系数3．75％，品质因数79．5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器频率特性
- AlN薄膜腔声谐振器的制备及性能研究
- 采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,...
- 胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
- 关键词：薄膜腔声谐振器谐振频率
- 文献传递
- AlN薄膜体声波谐振器性能分析被引量：1
- 2007年
- 采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2600,110,200nm时,谐振频率为1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理。
- 胡光顾豪爽张凯胡宽吴小鹏
- 关键词：电子技术薄膜体声波谐振器氮化铝
- C轴择优取向AlN薄膜的制备研究被引量：1
- 2005年
- 采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.
- 李位勇张凯徐丹丹陈丽丽顾豪爽
- 关键词：ALN薄膜直流磁控反应溅射
- 磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究被引量：1
- 2009年
- 氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较,优化了取向性AlN薄膜的生长工艺条件,制备出了高取向和高致密的AlN薄膜。
- 张小玲孙晓冬张凯胡光胡靖华顾豪爽
- 关键词：氮化铝取向性反应磁控溅射
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器被引量：1
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征结果证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537 GHz,机电耦合系数3.75%,串、并联品质因数分别为101.8、79.7.
- 叶芸吴雯刘婵胡光张凯顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
- C轴择优取向AlN薄膜的制备研究
- 采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的...
- 李位勇张凯徐丹丹陈丽丽顾豪爽
- 关键词：ALN薄膜衬底温度表面形貌
- 文献传递
