叶芸
- 作品数：5 被引量：11H指数：1
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：武汉市科技攻关计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好....
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔ALN薄膜
- 文献传递
- 脉冲激光沉积制备的HfO2电学性能及其漏电流机制研究
- 利用室温、原位200℃下脉冲激光沉积结合后快速退火的方法在p型Si衬底上制备了HfO2薄膜及HfO2栅介质MOS电容,研究了后热处理及原位加温对HfO2介电特性和漏电流的影响,并通过J-E电学特性测试对HfO2栅介质的漏...
- 朱建华王毅叶葱叶芸王浩
- 关键词：脉冲激光沉积HFO2薄膜快速退火介电性能
- 文献传递
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器被引量：1
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征结果证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537 GHz,机电耦合系数3.75%,串、并联品质因数分别为101.8、79.7.
- 叶芸吴雯刘婵胡光张凯顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
- MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究被引量：10
- 2007年
- 探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好.
- 张凯顾豪爽胡光叶芸吴雯刘婵
- 关键词：微机电系统湿法刻蚀刻蚀速率表面粗糙度
- 基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器
- 2007年
- 以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得的空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所制得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数为3.75%,串、并联品质因数分别为101.8和79.7.
- 胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝空腔
