张昉昉
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
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- MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料被引量：1
- 2000年
- 用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.
- 曹昕曾一平孔梅影王保强潘量张昉昉朱战萍
- 关键词：PHEMTMBE掺杂
- InGaAs沟道层中In组分含量对MM-HEMT材料性能的影响
- 采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释.
- 崔利杰朱战平王保强张昉昉曾一平李灵霄林兰英
- 关键词：分子束外延技术MM-HEMT材料材料性能
- 文献传递
- 低In组分InxGa1-xAs/GaAs自组织量子点的MBE生长
- 我们用MBE生长了低组分In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,...
- 段瑞飞曾一平孔梅影张昉昉朱战平王保强李灵霄
- 关键词：自组织生长INGAAS/GAAS分子束外延生长量子点材料
- 文献传递
- Si衬底上用MBE方法生长InAs量子点
- 本文采用分子束外延设备,实现了在Si衬底上直接生长InAs量子点.在生长过程中,通过RHEED观察到了S-K生长模式.
- 张昉昉曾一平李晋闽王保强朱战平
- 关键词：INAS量子点分子束外延生长SI衬底
- 文献传递
