徐立国
- 作品数：5 被引量：13H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
- 2005年
- 对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
- 吕长志冯士维王东凤张小玲谢雪松何焱张浩徐立国袁明文李效白曾庆明
- 关键词：ALGAN/GANHFET双异质结
- GaN基pin型紫外探测器的研究
- AlxGa1-xN合金半导体材料在许多领域有广泛的用途，其中很重要的是在紫外探测器领域的应用，如可以用在火焰和热传感器，导弹尾焰探测和卫星间通信等领域。改变Al的组分可以调节AlxGa1-xN的带隙宽度从3.4eV到6....
- 徐立国
- 关键词：氮化镓紫外探测器饱和电流半导体光电探测器光电二极管
- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
- 2005年
- 研究了20℃￣-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaNHEMT的直流特性。随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。
- 张浩吕长志朱修殿徐立国杨集
- 关键词：ALGAN/GANHEMT阈值电压
- AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展被引量：1
- 2006年
- 回顾了在高温条件下AlGaN/GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性。最后总结了适合高温下工作的AlGaN/GaN HEMT的改进方法。
- 朱修殿吕长志鲁小妹张小玲张浩徐立国
- 关键词：AIGAN/GAN高电子迁移率晶体管二维电子气
- GaN基紫外光探测器研究进展被引量：12
- 2004年
- 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电探测器的研究新进展。
- 徐立国谢雪松吕长志冯士维
- 关键词：GAN紫外探测器光电二极管
