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朱培喻

作品数：3 被引量：11H指数：2
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇异质结
  • 1篇锗化硅
  • 1篇晶体管
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇拉曼光谱分析
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇硅锗
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇RAMAN光...
  • 1篇RAMAN光...
  • 1篇SIGE合金
  • 1篇UHV/CV...
  • 1篇CMOS
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇朱培喻
  • 2篇罗广礼
  • 2篇黎晨
  • 2篇陈培毅
  • 2篇钱佩信
  • 1篇刘志农
  • 1篇贾宏勇

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SiGeMOSFET的设计与研制
硅锗器件具有异质结结构,能够大大提高载流子迁移率;且在工艺上与硅器件相容.作者所前年研制出了国内的第一批硅锗MOSFET,在其设计与工艺基础上对硅锗MOSFET,特别是NMOSFET的制作进行了进一步的研究,并成功试制出...
朱培喻
关键词：异质结
文献传递
UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7
2001年
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。
朱培喻陈培毅黎晨罗广礼贾宏勇刘志农钱佩信
关键词：SIGE合金UHV/CVD拉曼光谱分析半导体薄膜
一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET被引量：4
2001年
在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge PMOSFET在栅压为 3.5 V时最大饱和跨导比用作对照的 Si PMOS提高约 2倍 ,而与常规的应变 Si
黎晨朱培喻罗广礼陈培毅钱佩信
关键词：CMOS锗化硅场效应晶体管
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