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李健光

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇波导
  • 1篇单纤三向器
  • 1篇导光
  • 1篇应力双折射
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列波导
  • 1篇阵列波导光栅
  • 1篇双折射
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤到户
  • 1篇光栅
  • 1篇SI
  • 1篇SIO
  • 1篇SIO2/S...
  • 1篇SOI
  • 1篇AWG
  • 1篇波导光栅

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇内蒙古大学

作者

  • 2篇胡雄伟
  • 2篇王红杰
  • 2篇安俊明
  • 2篇李健光
  • 1篇郜定山
  • 1篇吴远大
  • 1篇班士良
  • 1篇梁希侠
  • 1篇夏君磊
  • 1篇李健
  • 1篇李俊一

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiO_2/Si波导应力双折射数值分析被引量：3
2005年
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.
安俊明班士良梁希侠李健郜定山夏君磊李健光王红杰胡雄伟
关键词：SIO2/SI波导双折射
基于SOI AWG的单纤三向器研制
本文采用绝缘层上硅(SOI)阵列波导光栅(AWG)结构制备了光纤到户用单纤三向器(Triplexer)。输出模场测试结果表明三个波长输出光斑清晰,实现了1490nm和1550nm下行波长的分波和1310nm波长的上传功能...
安俊明李俊一吴远大李健光王红杰胡雄伟
关键词：光纤到户单纤三向器阵列波导光栅绝缘层上硅
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