杨建华
- 作品数：18 被引量：115H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市科学技术委员会基础研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究被引量：7
- 2012年
- 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底,以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关,对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试,着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能.实验结果表明,532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度,半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601～0.692 mm–1之间;采用532 nm的激光激发光导开关,获得了纳秒量级的响应信号;流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大,随着衬底厚度的增加而减小.
- 常少辉刘学超黄维周天宇杨建华施尔畏
- 关键词：光导开关
- 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响被引量：2
- 2013年
- 本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的"缓冲层"上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现"镶嵌"结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的"缓冲层"上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2 nm。
- 石彪刘学超周仁伟杨建华郑燕青施尔畏
- 关键词：3C-SIC碳化缓冲层
- Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响被引量：1
- 2013年
- 本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜(AFM)对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。
- 姜涛严成锋陈建军刘熙杨建华施尔畏
- 关键词：6H-SIC退火AFM
- 单晶硅衬底异质外延3C-SiC薄膜研究进展被引量：7
- 2011年
- 3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注。单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20%)和热膨胀系数差异(8%),严重制约着高质量单晶薄膜的制备。本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望。
- 石彪朱明星陈义刘学超杨建华施尔畏
- 关键词：3C-SIC化学气相沉积
- 非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展被引量：3
- 2011年
- ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系。而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性。本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展。
- 卓世异刘学超熊泽陈之战杨建华施尔畏
- 关键词：稀磁半导体ZNO室温铁磁性
- BaTi_nO_(2n+1)光催化性能和结构关系的研究被引量：6
- 2007年
- 光催化剂BaTi_nO_(2n+1)(n=1,2和4)粉末是通过sol-gel法制得的聚合物前驱体在800℃下烧制而成.利用XRD粉末衍射和UV-Vis吸收光谱表征样品的物相和吸收光谱特性.在样品的光催化活性测试中,采取甲基橙作为染料光降解的模型,研究了BaTiO_3、BaTi_2O_5和BaTi_4O_9在各种酸性条件下对甲基橙溶液的降解效率,并初步探讨了其光催化性能差异的影响机制.实验表明,在相同的酸性条件下,三种钛酸钡BaTi_nO_(2n+1)(n=1,2和4)的光催化活性都随n的增大而增强,即BaTiO_3
- 邢精成王文邓卞建江杨建华黄富强
- 关键词：光催化甲基橙
- 钠硫电池硫极预制结构对电性能退化的影响被引量：3
- 1995年
- 讨论了3种不同硫极预制结构对钠硫电池充放电性能及电池退化性能的影响.实验表明;钠硫电池的充放电性能与硫极结构材料、纤维走向、材料与硫和多硫化钠的润湿性有关.采用石墨毡内村氧化铝纤维的硫极冷装结构,能缓和电极极化,提高电池充电性能,延长电池寿命.
- 杨建华曹佳弟励肇成
- 关键词：钠硫电池硫电极电性能电池
- 拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布被引量：1
- 2012年
- 采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为2英寸的氮掺杂6H-SiC晶体.采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征,研究了SiC晶体生长过程中多型的产生和演化.在6H-SiC晶体中观察到了15R-SiC和4H-SiC两种多型.在拉曼面扫描得到的晶体多型分布图上观察到了两类次多型结构区域,一类是继承其生长界面上对应的次多型结构形成的次多型结构区;另一类是由温度、压力等生长条件波动导致在6H-SiC主多型中出现的15R-SiC多型结构区.第一类次多型结构区中掺入的氮元素较多,载流子浓度较高,并且随着晶体生长不断扩大;第二类次多型结构区对晶体结晶质量的影响较小,且提高生长温度可以抑制15R-SiC多型结构.
- 郭啸刘学超忻隽杨建华施尓畏
- 关键词：拉曼碳化硅面扫描
- 不同形貌聚吡咯对SnO_2负极电化学性能的改善被引量：3
- 2014年
- 在预先原位合成的聚吡咯溶液中通过简单沉淀得到SnO2/聚吡咯负极材料,对材料的结构、形貌进行了表征并对材料的电化学性能进行了研究.发现不同形貌的聚吡咯对负极材料的电化学性能存在一定影响:SnO2负极材料在球状聚吡咯体系中比在管状聚吡咯体系中的电化学性能优越,首次库仑效率提高至77.6%,60次循环后仍剩余600 mA·h/g的可逆比容量.
- 彭鹏温兆银刘宇杨建华
- 关键词：SNO2
- SrNb_2O_6和SrNb_2O_6/Nb_2O_5复合物光催化降解甲基橙的研究被引量：6
- 2007年
- 光催化剂SrNb_2O_6采用传统固相反应分别在合成温度为950℃(低温)和1400℃(高温)进行制备.通过XRD粉末衍射和UV-Vis吸收光谱分析,表征了样品的物相和光谱吸收特性.通过对高低温样品的测试和分析表明,高温样品具有单一的物相,而低温样品反应并不完全,是一个混合物.在SrNb_2O_6光催化活性研究中,常用的甲基橙被选作染料光降解模型,对比试验表明低温样品的光催化活性远高于纯相样品SrNb_2O_6或Nb_2O_5.经过讨论和分析,推断出低温产物中存在的异质结(SrNb_2O_6/Nb_2O_6)是提高光催化性能的根本原因.
- 邢精成卞建江杨建华黄富强
- 关键词：光催化甲基橙
