吴娜
- 作品数：43 被引量：70H指数：6
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家重大科学仪器设备开发专项国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：机械工程理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 闪耀全息光栅离子束刻蚀工艺模拟及实验验证被引量：10
- 2012年
- 依据特征曲线法推导了非晶体表面的离子束刻蚀模拟方程,结合全息光栅的刻蚀特点开发出离子束刻蚀模拟程序,并通过实验数据分析并优化了非晶体材料刻蚀速率与离子束入射角的关系方程,最后利用离子束刻蚀实验对所开发的离子束刻蚀模拟程序进行了实验验证。调节掩模与基底材料的刻蚀速率比为2∶1至1∶2,制作了线密度为1 200l/mm,闪耀角为～8.6°,非闪耀角为34°～98°的4种闪耀光栅,与刻蚀模拟程序的结果进行对比,模拟误差<5%;控制离子束刻蚀时间为6～14min,制作了线密度为1 200l/mm,闪耀角为～8.6°,顶角平台横向尺寸为0～211nm的6种光栅,与刻蚀模拟程序的模拟结果进行对比,模拟误差<1%。比较实验及离子束刻蚀模拟结果表明,离子束刻蚀模拟程序获得的模拟刻蚀轮廓曲线与实际刻蚀轮廓曲线的误差<5%;模拟刻蚀截止点与实际刻蚀截止点误差<1%。实验表明,提出的模拟方程可以准确地描述不同工艺过程和工艺参数对最终刻蚀结果的影响,进而可预知和控制离子束刻蚀过程。
- 吴娜谭鑫巴音贺希格唐玉国
- 关键词：闪耀光栅全息光栅衍射效率离子束刻蚀
- 基于精密刻划及薄膜沉积技术的光盘分束光栅研制
- 2009年
- 给出了采用光栅刻划和镀膜技术相结合研制光盘分束光栅的方法。采用光栅刻划机在金属膜上刻制占宽比为0.5的黑白光栅,并由黑白光栅翻制出制作光盘分束光栅的掩模版。通过掩模版对涂覆在K9玻璃基底上的光刻胶实施曝光和显影形成光刻胶矩形浮雕光栅,在理论设计的误差允许范围内,对此浮雕光栅沉积SiO2薄膜,去除残余光刻胶后得到SiO2矩形光栅母版,再经复制工艺制作了环氧树脂光盘分束光栅。测试结果表明,利用光盘分束光栅的纵向和横向加工误差的互补性,可以将光栅辅助光束与读写主光束强度之比的误差控制在±0.03之内。
- 吴娜张善文宋可平巴音贺希格齐向东高键翔
- 关键词：光学头精密刻划镀膜技术
- 凹面光栅衍射效率测试仪精度分析和优化被引量：7
- 2012年
- 分析和优化了凹面光栅衍射效率自动测试仪的测量精度,以提高凹面光栅相对衍射效率测量结果的准确性。根据凹面光栅相对衍射效率测量原理,对凹面光栅出射光谱增宽、衍射光束截面变化、光源辐射亮度的控制和测量波长同步精度等影响测量准确性的因素进行分析,给出了必要的运算关系式。采用回归分析等数学方法,基于大量实验数据建立了测量结果的优化公式,并将该公式编入测量程序,实现了在测量结束的同时自动优化测量结果。实验表明,经过优化后的测量值更加准确,与相对衍射效率理论值的偏差均在±2.5%以内,有效提高了仪器的测量精度。该方法操作简单,无需添加或改动仪器的任何部件,可满足仪器实时性强、测量准确的要求。
- 寇婕婷吴娜巴音贺希格唐玉国齐向东于宏柱
- 关键词：衍射效率
- 调整闪耀光栅离子束刻蚀装置中栅线与束流垂直度的方法
- 调整闪耀光栅离子束刻蚀装置中栅线与束流垂直度的方法，涉及光谱技术领域，解决现有调整离子束与光栅刻线方向垂直度的方法存在垂直度精度较低且存在误差的问题，建立离子束刻蚀装置；制备刻有两条正交直线及开有中心圆孔的平板；在离子束...
- 谭鑫吴娜巴音贺希格齐向东
- 文献传递
- 利用气流控制光刻胶膜厚度的匀胶装置及匀胶方法
- 利用气流控制光刻胶膜厚度的匀胶装置及匀胶方法，涉及全息光栅制作领域，解决了现有匀胶方法存在的耗时长、成本高、制备光刻胶膜可靠性差、光刻胶膜不均匀、难以制备较厚光刻胶膜的问题。该装置包括电机、基底真空吸盘、第二真空泵调节开...
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- 文献传递
- 闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法
- 闪耀凹面全息光栅分区反应离子束的刻蚀方法，涉及光谱技术领域解决采用现有方法刻蚀凹面光栅获得的闪耀角不同，同时由于闪耀角差异影响闪耀凹面光栅的衍射效率的问题，本发明的刻蚀步骤为：凹面光栅掩模基片的放置；选取离子束入射角；凹...
- 谭鑫吴娜巴音贺希格齐向东李文昊孔鹏
- 文献传递
- 一种凹面光栅衍射效率测试仪的光路结构
- 一种凹面光栅衍射效率测试仪的光路结构，属于光谱技术领域中涉及的一种凹面光栅衍射效率测试仪。要解决的技术问题是：提供一种凹面光栅衍射效率测试的光路结构。解决技术问题的技术方案是：包括光源外光路、前置单色仪、测量单色仪和控制...
- 巴音贺希格寇婕婷吴娜唐玉国齐向东于宏柱朱文煜
- 文献传递
- 类矩形全息光栅等离子体刻蚀方法
- 类矩形全息光栅的等离子体刻蚀方法，涉及光谱技术领域，解决现有对全息光栅的刻蚀过程中引起侧壁及槽底粗糙度高的问题，本发明包括多个交替进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤、一个钝化沉积步骤和一个抛光步骤。刻蚀步骤所采...
- 谭鑫巴音贺希格齐向东吴娜李文昊孔鹏
- 文献传递
- 超声波震荡法及润湿性增强法对单晶硅阶梯光栅闪耀面粗糙度的影响被引量：6
- 2014年
- 单晶硅阶梯光栅闪耀面表面粗糙度会引起入射光的散射形成杂散光，为获得低杂散光的阶梯光栅槽形，减小单晶硅阶梯光栅闪耀面表面粗糙度显得尤为重要。在单晶硅湿法刻蚀工艺中，阶梯光栅闪耀面表面粗糙度较大的原因是反应生成的氢气易在硅片表面停留，形成虚掩模，阻碍反应的进一步进行。基于超声波空化作用及异丙醇（IPA）增加单晶硅表面润湿性的原理，在单晶硅湿法刻蚀制作阶梯光栅工艺过程中分别利用超声波震荡法及润湿性增强法对所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度进行改善。利用超声波震荡法所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于15nm，利用润湿性增强法所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于7nm。同时施以超声波震荡法和润湿性增强法，在异丙醇质量分数范围为5％～20％，超声波频率为100kHz，功率范围为30～50W时，所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于2nm，而且当异丙醇质量分数为20％、超声波频率为100kHz以及超声波功率为50W时，所制中阶梯光栅闪耀面表面粗糙度达到1nm。实验结果表明，同时施以超声波震荡法及润湿性增强法，并优化实验参数可以制备更低粗糙度的阶梯光栅。
- 焦庆斌巴音贺希格谭鑫李艳茹朱继伟吴娜
- 关键词：湿法刻蚀表面粗糙度
- 紫外高分辨率像散校正型罗兰全息光栅设计被引量：1
- 2017年
- 为了降低紫外高分辨率罗兰光栅的像散对光谱像高展宽的影响,提出了在罗兰圆上使用球面波非对称曝光设计思路。推导完全校正离焦和子午彗差的表达式,讨论了多种罗兰光栅记录结构的局限性,优选适合校正紫外高分辨率罗兰光栅的优化方法。通过全息光栅像面展宽表达式,指出像散和弧矢彗差是影响光谱像高的主要因素,并分配了两者的优化权重。利用这种优化思路,设计了工作波段110~200nm紫外高分辨率罗兰光栅,同时对比分析了传统光栅的像差系数和像高变化规律、像面结构和光谱分辨率。结果表明,和传统罗兰光栅分辨率处于同一数量级的情况下,所设计光栅光谱像高由25mm降低到1.5mm,谱面能量集中度有显著的提高。
- 赵旭龙巴音贺希格巴音贺希格李文昊吴娜吴娜
- 关键词：光栅设计
