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张庆芳

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇应变层
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格常数
  • 4篇沟道
  • 4篇弛豫
  • 3篇电流
  • 3篇双栅
  • 3篇工作电流
  • 3篇红外
  • 3篇红外探测
  • 2篇单轴
  • 2篇势垒
  • 2篇双轴
  • 2篇探测器
  • 2篇迁移率
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇接触电极
  • 2篇金属
  • 2篇金属接触
  • 2篇空穴

机构

  • 9篇重庆大学

作者

  • 9篇张庆芳
  • 8篇刘艳
  • 8篇韩根全
  • 4篇赵斌
  • 4篇王轶博

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
刘艳韩根全赵斌张庆芳
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带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的...
刘艳韩根全赵斌张庆芳
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基于GeSn合金的中红外探测与发光器件应变工程研究
锗锡（GeSn）合金的禁带宽度在0~0.66 eV内连续可调，并且当Sn组分大于6.7％时可转变为直接带隙半导体，理论上利用GeSn合金可以将硅（Si）基光子器件的工作波长拓展至中红外甚至远红外。然而，受Ge中Sn固溶度...
张庆芳
关键词：红外探测发光器件弹性力学
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带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
刘艳韩根全赵斌张庆芳
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带有应变源的GeSn红外探测器
本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<Sup>+</Sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的...
刘艳韩根全赵斌张庆芳
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带有应变源的GeSn红外探测器
本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<Sup>+</Sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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