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王轶博

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇晶格
  • 4篇晶格常数
  • 4篇弛豫
  • 2篇单轴
  • 2篇势垒
  • 2篇双轴
  • 2篇探测器
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇接触电极
  • 2篇金属
  • 2篇金属接触
  • 2篇硅衬底
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇衬底

机构

  • 4篇重庆大学

作者

  • 4篇刘艳
  • 4篇韩根全
  • 4篇张庆芳
  • 4篇王轶博

年份

  • 4篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<Sup>+</Sup>型SiGe与p<Sup>+</Sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有应变源的GeSn红外探测器
本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<Sup>+</Sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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带有应变源的GeSn红外探测器
本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<Sup>+</Sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
刘艳韩根全张庆芳王轶博
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