任芳芳
- 作品数：27 被引量：8H指数：2
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金澳大利亚研究理事会基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学交通运输工程更多>>
- 基于Al-SiO2多层结构日盲深紫外波段滤波器的研究与制备
- 日盲深紫外波段(240-280nm)的探测在军事、环境以及科学研究等领域都有着重要的意义,而基于宽禁带半导体AlGaN、SiC等的紫外光电探测器由于材料费用较高以及制备工艺不够成熟,目前还未广泛应用于日盲深紫外波段的探测...
- 王天娇徐尉宗陆海任芳芳陈敦军张荣郑有炓
- 图形化蓝宝石衬底上的高量子效率GaN基p-i-n紫外探测器
- GaN基半导体材料具有带隙宽度大、物理化学特性优越等特点,是制备紫外光电探测器的理想材料.然而,由于GaN和蓝宝石衬底之间有大的晶格失配,GaN材料通常会具有很高的缺陷密度,严重限制了基于GaN的光电子器件的性能.
- 王国胜陆海陈敦军任芳芳张荣郑有炓
- 工科《大学物理》课程PBL教学方案初探被引量：6
- 2019年
- 随着教育教学体制的改革,工科《大学物理》课堂的教学也在发生着重大的转变,不仅在课堂主体上有了转换,同时对于教学方式、教育理念也有了全新的要求。本研究中,教师结合新形势下适应性教学的理念,针对百名学生参加的平台大课,探索了以问题为导向的教学方法,按照"问题驱动→探究学习→协作讨论→成果演讲→复习总结"的顺序和环节,设计课堂教案,引导学生自主探索,从而锻炼学生的发散性思维,提高学生的研究型学习能力。教师通过三年教学实践,受到学生广泛欢迎,教学方案仍在不断改进,目前已取得较满意的效果。
- 任芳芳黄晓林杨燚叶建东刘斌徐骏
- 关键词：大学物理PBL教学改革
- 高增益4H-SiC基PIN雪崩紫外光电探测器
- 4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术,成为制备高量子效率、低漏电流和高增益雪崩日盲紫外光电探测器的理想材料.
- 周东陆海任芳芳陈敦军张荣郑有炓
- 具有氮掺杂InGaZnO界面插入层的高稳定性非晶InGaZnO基薄膜晶体管
- 非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)具有高的迁移率、高的光学透过率、低的制备温度和低成本等优点,因此在下一代平板显示中有着重要的应用.尽管a-IGZO TFT表现出了较好的器件性能,但是其在栅极正偏压下的...
- 黄晓明武辰飞任芳芳张荣郑有炓陆海
- 新一代宽禁带半导体紫外光电探测器
- 2016年
- 伴随着紫外辐照在国防、科学研究和民用领域的广泛应用,半导体紫外探测技术也随之快速发展。以Ⅲ族氮化物和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料是近年来国内外重点研究和发展的第三代半导体材料,具有优良的材料性能,是制备紫外探测器的理想材料。文中通过介绍Ⅲ族氮化物和碳化硅紫外探测器的技术现状,对其未来技术发展和应用了进行相关探讨。
- 周东陆海陈敦军任芳芳张荣郑有炓
- 关键词：宽禁带紫外探测器碳化硅
- 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备
- 2023年
- 本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×10^(6),248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×10^(15) Jones,带外抑制比为2.36×10^(4),响应时间为226.2μs。
- 汪正鹏张崇德孙新雨胡天澄崔梅张贻俊巩贺贺任芳芳顾书林张荣叶建东
- 关键词：金属有机物化学气相沉积
- 自热效应对非晶InGaZnO基薄膜晶体管可靠性的影响研究
- 张东徐尉宗武辰飞任芳芳陈敦军张荣郑有炓陆海
- 在半绝缘HVPE GaN∶Fe模板上制备的MSM紫外光探测器
- GaN基宽禁带半导体材料由于具有良好的光学和电学特性,是制备紫外光探测器件的优选材料.氢化物气相外延(HVPE)生长技术由于其低成本、高生长速率是目前制备GaN厚膜的主要方法之一.在本项工作中,我们在HVPE生长的半绝缘...
- 陈允峰陆海王国胜任芳芳陈敦军张荣郑有炓
- 非晶InGaZnO基薄膜晶体管的低频噪声特性研究
- 武辰飞黄晓明任芳芳陆海张荣郑有炓
