彭博
- 作品数：26 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学经济管理更多>>
- Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法
- 本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 镓源温度对LPCVD氧化镓外延温度场影响的仿真研究
- 2025年
- 低压化学气相沉积(LPCVD)卧式反应炉腔体内的温度高,结构复杂,通入反应气体时容易导致反应室内温度分布不均匀,影响制备薄膜的质量。为了制备出更高质量的薄膜,根据反应炉的设备数据建立反应腔体的物理模型;基于热传导、热对流、热辐射等模型,应用有限元仿真软件对反应过程中涉及的流场、热场、化学反应场和稀物质传递场等多物理场进行仿真模拟。通过改变镓源温度等工艺参数,模拟LPCVD反应腔体内的温度变化对β-Ga_(2)O_(3)薄膜沉积特性的影响。仿真结果表明,制备的薄膜均匀性随镓源温度的升高而降低,薄膜的沉积速率随温度的升高而增加,镓源温度为900~950℃时,可以得到质量较好的薄膜。通过优化工艺参数,LPCVD外延生长的β-Ga_(2)O_(3)薄膜的厚度和均匀度得到提升,可以制备出性能更加良好的Ga_(2)O_(3)器件。
- 胡继超赵启阳杨志昊杨莺彭博丁雄杰刘薇张红
- 关键词：有限元仿真温场生长速率
- Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在Ga<Sub>2</Sub>...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 基于博弈论对民生银行从业人员操作风险的研究
- 银行作为经营货币信贷业务的金融机构,伴随商品货币经济的发展应运而生。近十几年来,随着银行业务种类及业务规模的不断扩大,我国商业银行在整体经营过程中对相关银行从业人员的整体操作风险监督面临严峻的考验,接连不断的银行人员操作...
- 彭博
- 关键词：博弈论操作风险
- 基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种基于Cr掺杂4H‑SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：选取4H‑SiC衬底；利用MBE工艺在4H‑SiC衬底表面生长Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；利用离...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- 异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法
- 本发明涉及一种异质结高电子迁移率自旋场效应晶体管及制造方法。晶体管包括：包括：3C‑SiC漏区、3C‑SiC源区、3C‑SiC沟道区、肖特基接触栅电极、Si衬底、漏极、源极、SiN隔离层；3C‑SiC漏区、3C‑SiC源...
- 贾仁需彭博吕红亮张玉明
- 高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>外延层；在所述N型Ga<Sub>2</...
- 贾仁需杨宇元磊张玉明彭博
- SiC材料缺陷诱导磁性研究
- 通常在铁磁材料中，提供局域磁矩的元素的主量子数应满足n≥3的条件。然而，目前已经发现，在不满足主量子数n≥3条件的元素所组成的固体中，仍然可以在特定条件下观测到磁有序现象。通常在这些材料中对铁磁有序形成起关键作用的是位于...
- 彭博
- 关键词：半导体材料碳化硅铁磁性
- 基于石墨烯用于获取微弱能量的柔性微结构及其制造方法
- 本发明公开了一种基于石墨烯用于获取微弱能量的柔性微结构及其制造方法，柔性微结构为层结构，分两部分，第一部分结构为：柔性衬底，形成于柔性衬底上的石墨烯层，生长于石墨烯层上的氧化锌纳米线层，以及石墨烯层上的引出电极层；第二部...
- 娄利飞潘青彪吴志华彭博
