刘世祥
- 作品数：11 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学研究生院更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种高温超导体的制备工艺
- 本发明公开了一种制备钇-钡-铜氧化物超导材料的工艺，这种工艺采用在940℃至1050℃之间恒温小于一小时一次烧结的快速烧结方法。
- 石万全柳雪君刘世祥伍勇
- Nd^(3+):YAG连续激光束用于半导体连续激光退火的研究
- 1985年
- 本文主要介绍如何根据连续激光退火的需要。将Nd^(3+):YAG激光划片机改进和完善成专用连续激光退火设备。简单介绍利用此设备进行激光退火的实验结果。提出研制和生产专用连续激光退火设备的必要性。
- 石万全姚德成刘世祥朱美芳贺令渝陆世勇刘万忠王金生
- 关键词：ND^3+:YAG激光退火半导体激光束退火设备
- 稀土元素离子注入硅的两种导电行为
- 刘世祥石万全刘峰奇
- 关键词：稀土族硅离子注入导电性
- 一种高温超导体的制备工艺
- 本发明公开了一种制备钇-钡-铜氧化物超导材料的工艺，这种工艺采用在940℃至1050℃之间恒温小于一小时一次烧结的快速烧结方法。
- 石万全柳雪君刘世祥伍勇
- 文献传递
- 高温YBCO超导体的吸氢特性和异常核现象研究
- 1993年
- 随着高温超导体性能和理论的深入研究,人们发现YBa_2Cu_3O_(7-8)超导体具有吸氢的罕见能力,该过程遵循一般的反应式: (x/2) H_2+YBa_2Cu_3O_(7-8)→H_xYBa_2Cu_3O_(7-8)。结构分析表明,其所吸入的H位于Cu-O面内,并且随着温度等条件的改变,其状态也有变化,H的吸入对YBCO的超导特性也产生一定影响,对氢的同位素氘(D)也应具有类似现象。
- 金尚宪张富祥刘渝珍石万全欧文刘世祥柳雪君
- 关键词：超导体高TC
- 纳米SiC蓝光发射的研究被引量：10
- 1999年
- 在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究。
- 刘渝珍黄允兰石万全刘世祥姚德成张庶元韩一琴陆忠乾谭寿洪江东亮
- 关键词：快速热退火纳米级碳化硅粉体
- LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射被引量：6
- 1999年
- 在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初步讨论了其发光机制．
- 刘渝珍石万全刘世祥姚德成刘金龙韩一琴赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
- 关键词：LPCVD氮化硅室温激光激发
- LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射被引量：4
- 2000年
- 在 4.66e V的激光激发下 ,在室温下 LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光 ,其峰位位置分别为 2 .97,2 .77,2 .55,2 .32 ,2 .1 0和 1 .90 e V的 6个 PL峰 ,建立了可见光发射的能隙态模型 。
- 刘渝珍石万全韩一琴刘世祥赵玲莉孙宝银叶甜春陈梦真
- 关键词：LPCVD光致发光
- Si^+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响被引量：2
- 1999年
- 将高剂量 ( 1× 1 0 17/cm2 ) Si+ 注入热氧化 Si O2 薄膜 ,在～ 5.0 e V( 2 65nm)激光的激发下 ,观测到 2 .97e V、2 .32 e V和 1 .73e V的三个光致发光 ( PL)峰 ,经快速热退火 ( RTA)处理后 ,其PL谱峰形发生变化 .本文对
- 刘世祥刘渝珍伍勇石万全陈志坚韩一琴刘金龙张通和姚德成
- 关键词：硅二氧化硅RTA半导体薄膜技术
- 发蓝绿光纳米硅薄膜的快速热处理制备被引量：1
- 1998年
- 使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿光．
- 刘世祥朱美芳石万全刘渝珍韩一琴刘金龙陈国孙景兰陈培毅唐勇
- 关键词：纳米硅非晶硅
