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张珂珂

作品数：31 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 17篇栅极
  • 12篇半导体
  • 10篇鳍片
  • 10篇衬底
  • 9篇沟道
  • 9篇半导体器件
  • 8篇栅极结构
  • 8篇侧墙
  • 6篇沟道效应
  • 6篇FINFET
  • 5篇短沟道
  • 5篇短沟道效应
  • 5篇阻挡层
  • 5篇介质层
  • 5篇沟槽
  • 5篇穿通
  • 4篇电阻
  • 4篇淀积层
  • 4篇牺牲
  • 4篇空位

机构

  • 31篇中国科学院微...

作者

  • 31篇张珂珂
  • 30篇尹海洲
  • 6篇刘云飞
  • 3篇朱慧珑

传媒

  • 1篇2013‘全...

年份

  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 6篇2014
  • 3篇2013
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种FINFET制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，包括以下步骤：a.提供衬底；b.在所述衬底上形成鳍片；c.在所述半导体结构上形成浅沟槽隔离结构；d.在所述浅沟槽隔离结构表面形成伪栅叠层，所述伪栅叠层与鳍片相交；e.对所述半导体结构...
刘云飞尹海洲张珂珂
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一种FINFET制造方法
本发明提供了一种FINFET的制造方法，包括：a.提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一鳍片；b.在所述第一鳍片上覆盖掩膜层；c.在所述半导体衬底中形成穿通阻挡层；d.以第一鳍片和掩膜层为掩膜依次对所述通阻挡层和所述半导体...
刘云飞尹海洲张珂珂
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成接触牺牲图形，覆盖源区与漏区并且暴露栅极区域；在衬底上形成层间介质层，覆盖接触牺牲图形并且暴露栅极区域；在暴露的栅极区域中形成栅极堆叠结构；去除接触牺牲图形，留下了源...
尹海洲张珂珂
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)；b.在所述衬底上形成鳍片(200)；c.在所述半导体结构上淀积掺杂材料层(300)；d.在所述半导体结构上形成第一浅沟槽隔离结构(400)；e.去除未被...
尹海洲张珂珂
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半导体设置及其制造方法
本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括：衬底；以及鳍，所述鳍包括在衬底上依次形成的第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分整体上呈T形，其中，第二部分在与第一部分相对应的区域处具有减小的厚度。
尹海洲张珂珂
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成T型伪栅极结构；去除T型伪栅极结构，留下T型栅极沟槽；在T型栅极沟槽中填充金属层，形成T型金属栅极结构。依照本发明的半导体器件制造方法，通过形成T型伪栅极以及T型栅极...
尹海洲朱慧珑张珂珂
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一种FinFET制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底(100)，并在所述衬底上形成鳍片(200)；b.所述鳍片(200)两侧的衬底上形成隔离层(300)；c.在所述隔离层(300)上半部分两侧的鳍片中形成穿通阻挡层(...
尹海洲刘云飞张珂珂
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一种非对称超薄SOIMOS晶体管结构及其制造方法
本发明提供了一种非对称超薄SOIMOS晶体管的制造方法，包括：a.提供由绝缘层(200)和半导体层(300)组成的衬底；b.在所述衬底上形成栅极叠层(304)；c.去除半导体层(300)上源区一侧的半导体材料，形成第一空...
尹海洲张珂珂
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一种MOSFET结构及其制造方法
本发明提供一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底（100）；b.在衬底上形成伪栅堆叠及其侧墙（104）、源/漏区和层间介质层（105）；c.去除所述伪栅堆叠以形成伪栅空位；d.在伪栅空位下方的衬底中形成第一掺杂阱(...
尹海洲张珂珂
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成接触牺牲图形，覆盖源区与漏区并且暴露栅极区域；在衬底上形成层间介质层，覆盖接触牺牲图形并且暴露栅极区域；在暴露的栅极区域中形成栅极堆叠结构；去除接触牺牲图形，留下了源...
尹海洲张珂珂
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