刘文平
- 作品数：19 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划上海-AM基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 硅纳米线的制作方法
- 2004年
- 王跃林李欣昕刘文平
- 关键词：硅纳米线掺杂厚度
- 一种圆片级微机械器件或光电器件的低温气密性封装方法
- 本发明涉及一种圆片级微机械器件或光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯(BCB)材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行250℃低温圆片级气密性键合，键合压力为1-3×10<Sup>-5</S...
- 刘玉菲吴亚明李四华刘文平
- 文献传递
- 基于MEMS工艺制作的硅纳米线及其电学性质被引量：1
- 2006年
- 通过运用Si3N4和SiO2作掩膜,采用各向同性和各向异性腐蚀液,利用硅的腐蚀自停止特性,实现了硅梁的纳米宽度控制,同时利用多次氧化在SOI材料上实现了纳米厚度控制,最终成功批量制作了硅纳米线.扫描电镜观测表明,制备的纳米线厚度和宽度都可严格控制在100nm以下,最细的纳米线宽度可以达到20nm.同批样品的宽度变化范围在20%以内.大气中对其电学特性测量表明,剥离了表面氧化层的纳米线的电阻会随放置时间的增长而逐渐增大.进一步实验分析发现水分吸附在其电阻变化中起了重要的作用.
- 刘文平李铁杨恒焦继伟李昕欣王跃林
- 关键词：硅纳米线MEMS技术
- 一种低温圆片级微型气体盒的制作方法
- 本发明涉及一种低温圆片级微型气体盒的制作方法，其特征在于利用苯并环丁烯材料进行材料键合和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术，在250℃的低温条件下键合，实现芯片级气体盒的圆片级气密性封装键合，包括芯片级原子钟气体盒、高精...
- 刘玉菲吴亚明李四华刘文平
- 文献传递
- 集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究
- 采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论。纳米线的直径达到50nm以下,长度为3-15μm.两端固支,底部悬...
- 刘文平宋达李铁李昕欣王跃林
- 关键词：硅纳米线微电子机械系统表面态光生载流子
- 文献传递
- 一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法
- 本发明涉及一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法，其特征在于利用苯并环丁烯(BCB)材料针对经过湿法腐蚀或干法刻蚀的半导体材料或玻璃进行250℃低温圆片级气密性键合，键合压力为1－3×10<Sup>－5</S...
- 刘玉菲吴亚明李四华刘文平
- 文献传递
- 基于半导体材料的纳米线制作方法
- 本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜...
- 向民刘文平王跃林
- 文献传递
- 集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究
- 本文采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3～15μm,两端固支,底...
- 刘文平李铁李昕欣王跃林宋达
- 关键词：硅纳米线微电子机械系统表面态光生载流子电学性质
- 文献传递网络资源链接
- 一种硅纳米线的制作方法
- 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10－50nm...
- 王跃林李欣昕刘文平
- 文献传递
- 基于半导体材料的纳米线制作方法
- 本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜...
- 向民刘文平王跃林
- 文献传递
