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硒化时间对铜锌锡硫硒薄膜硒含量的影响: 阐述直接溅射铜锌锡硫靶后硒化法能够制备得到了铜锌锡硫硒薄膜。随着硒化时间的增加，铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值增加，其结构从铜锌锡硫向铜锌锡硫硒转变，最后为纯的铜锌锡硒结构。此外，铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值能...; 孙汝军庄大明赵明欧阳良琦郭力曹明杰李晓龙谢敏; 关键词：硒含量

富Se CIGS靶材制备和性能研究: 采用热压烧结CIGS、Se混合粉末的方法制备得到高密实率的富Se CIGS靶材，发现Se元素的加入具有液相辅助烧结作用，大大提高靶材密实率，制备得到靶材最高密实率达到98.31％，且制备得到的CIGS靶材具有理想的单一黄...; 李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋; 关键词：硒元素

溅射富Se CIGS靶材加无Se气氛退火制备CIGS电池: 通过溅射富Se CIGS靶材制备获得富Se成分的沉积态CIGS薄膜，并对沉积态薄膜在无Se源保护性气氛下进行晶化退火，获得具有富Se成分、单一黄铜矿相组成且电子学性能良好的CIGS吸收层和相应CIGS电池。采用该工艺方法...; 李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋; 关键词：薄膜太阳能电池

串联电阻对不均匀铜铟镓硒电池性能的影响被引量：1: 2015年; 由于铜铟镓硒太阳电池的不均匀性以及电池输出特性的非线性,现有表征大面积电池的加权平均效率需要进行修正以便更好反映光伏组件的效率。由于串联电阻的增加常被认为可改善电池均匀性,因此本文针对串联电阻的影响进行重点研究。本文基于太阳电池模型,假定大面积太阳电池可看作是多个小面积太阳电池单元并联而成的太阳电池单元组件。计算结果表明,并联光伏组件的效率比加权平均效率低;提高光伏组件的串联电阻能在一定程度上改善电池不均匀性,但未必能提高光电转换效率,这有赖于光伏组件的不均匀程度和其本身的串联电阻大小;当光伏组件本身的均匀性较好且串联电阻也较小时,提高光伏组件的串联电阻能提高光伏组件效率。; 欧阳良琦庄大明郭力曹明杰刘江李晓龙谢敏宋军; 关键词：铜铟镓硒太阳电池不均匀性串联电阻

CIGS靶材分层缺陷产生机理研究: 本文通过对CIGS靶材烧结分层缺陷的研究建立了CIGS分层产生的机理模型：在热压烧结制备CIGS靶材的过程中，在外加烧结压力的作用下，CuSe和CU3Se2等低熔点相在CIGS晶粒间发生沿晶界流动性扩散，导致CIGS晶界...; 李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋

Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合球磨过程中的Cu(In,Ga)Se_2形成机制研究被引量：1: 2016年; 对球磨时间不同的Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3混合粉末进行热压烧结制备CIGS靶材,发现在球磨时间较短时靶材出现分层,随着球磨时间延长分层缺陷消失。由此考察了粉末在球磨过程中发生的物理化学变化及其对分层的影响。结果表明:Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3三种硒化物粉末在球磨过程中发生机械合金化反应形成黄铜矿相Cu(In,Ga)Se2(CIGS)。随着球磨时间的延长,黄铜矿相结构Cu In Se2(CIS)首先在Cu-Se二元化合物表面产生,并随着Ga原子的扩散逐步形成CIGS四元相。当球磨时间达到48 h时,粉末由黄铜矿相CIGS和少量Ga2Se3组成。由于Cu2-xSe与CIGS晶体结构相近,因此通过外延反应的方式有效促进了CIGS的合成。球磨过程中Cu-Se二元相的消失和CIGS相的形成有助于抑制烧结过程中分层缺陷的产生。; 李晓龙赵明庄大明巩前明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋; 关键词：无机非金属材料铜铟镓硒机械合金化热压烧结

退火温度对铜铟镓硒薄膜电学性能的影响被引量：2: 2014年; 使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响。结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在CuSe低电阻相,CIGS薄膜的载流子浓度在1017-1019cm-3,迁移率在0.1 cm2·V-1·s-1左右,不适于作为太阳电池的吸收层;当退火温度高于410℃时薄膜中不存在CuSe相,薄膜具有10 cm2·V-1·s-1左右的较高迁移率,载流子浓度在1014-1017cm-3;退火温度高于410℃时,随着退火温度的升高薄膜晶粒长大,结晶性增强,此时薄膜内部缺陷减少,载流子浓度升高;对于用作太阳电池吸收层的CIGS,从载流子浓度及迁移率的角度评判,合适的退火温度区间为450-550℃。; 欧阳良琦赵明庄大明孙汝军郭力李晓龙曹明杰; 关键词：无机非金属材料太阳电池铜铟镓硒溅射电学性能

铜锌锡硒薄膜在硫化过程中的物相及结晶性变化: 本文阐述了当退火温度较低（200-300℃）时，CZTSe相为主，并存在少量Cu2(S，Se)相;当退火温度进一步升高到380℃时，CZTSSe相开始生成，晶粒开始长大;当退火温度在440℃-580℃区间时，主相为具有不...; 孙汝军庄大明赵明欧阳良琦郭力曹明杰李晓龙姜玮; 关键词：硫化反应物相变化

高密实率Cu(In,Ga)Se_2陶瓷靶材制备和性能研究被引量：1: 2013年; 采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合粉末的方法制备CIGS四元陶瓷靶材。考察烧结温度、烧结压力对靶材的相组成、形貌、成分的影响。实验结果表明,在烧结温度较低时,首先获得CuInSe2三元黄铜矿相结构,随着烧结温度的升高,Ga元素不断向CIS中扩散,并获得均质的CIGS四元靶材。通过增大烧结压力,可提高靶材密度。烧结时间的延长,对靶材的密实率无明显影响。在烧结温度900℃,烧结压力45MPa的条件下,获得密实率超过96%的靶材。; 李晓龙庄大明赵明庄作隆刘江谢敏曹明杰欧阳良琦郭力; 关键词：铜铟镓硒陶瓷靶材热压烧结

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李晓龙