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郭力

作品数:18 被引量:11H指数:2
供职机构:清华大学更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理冶金工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 7篇电池
  • 6篇铜锌
  • 6篇铜铟镓硒
  • 6篇溅射
  • 5篇无机非金属
  • 5篇无机非金属材...
  • 5篇硫化
  • 5篇非金属材料
  • 4篇太阳电池
  • 4篇靶材
  • 4篇
  • 4篇SE
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇薄膜太阳能电...
  • 3篇CIGS
  • 2篇性能研究
  • 2篇铜元素
  • 2篇退火
  • 2篇退火温度
  • 2篇迁移

机构

  • 18篇清华大学

作者

  • 18篇庄大明
  • 18篇郭力
  • 12篇赵明
  • 12篇曹明杰
  • 11篇孙汝军
  • 9篇李晓龙
  • 5篇谢敏
  • 5篇宋军
  • 4篇刘江
  • 2篇李晓龙
  • 2篇张冷
  • 2篇赵明
  • 1篇巩前明
  • 1篇张宁
  • 1篇余新平
  • 1篇李晓龙

传媒

  • 5篇材料研究学报
  • 4篇太阳能学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 9篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
串联电阻对不均匀铜铟镓硒电池性能的影响被引量:1
2015年
由于铜铟镓硒太阳电池的不均匀性以及电池输出特性的非线性,现有表征大面积电池的加权平均效率需要进行修正以便更好反映光伏组件的效率。由于串联电阻的增加常被认为可改善电池均匀性,因此本文针对串联电阻的影响进行重点研究。本文基于太阳电池模型,假定大面积太阳电池可看作是多个小面积太阳电池单元并联而成的太阳电池单元组件。计算结果表明,并联光伏组件的效率比加权平均效率低;提高光伏组件的串联电阻能在一定程度上改善电池不均匀性,但未必能提高光电转换效率,这有赖于光伏组件的不均匀程度和其本身的串联电阻大小;当光伏组件本身的均匀性较好且串联电阻也较小时,提高光伏组件的串联电阻能提高光伏组件效率。
欧阳良琦庄大明郭力曹明杰刘江李晓龙谢敏宋军
关键词:铜铟镓硒太阳电池不均匀性串联电阻
薄膜太阳能电池光吸收层及其制备方法
本发明涉及一光吸收层,包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se),为Cu<Sub>y</Sub>(In<Sub>1-x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>)Se<Sub>2</Sub>中原位掺...
庄大明赵明李晓龙郭力孙汝军詹世璐张冷
CIGS靶材分层缺陷产生机理研究
本文通过对CIGS靶材烧结分层缺陷的研究建立了CIGS分层产生的机理模型:在热压烧结制备CIGS靶材的过程中,在外加烧结压力的作用下,CuSe和CU3Se2等低熔点相在CIGS晶粒间发生沿晶界流动性扩散,导致CIGS晶界...
李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋
溅射富Se CIGS靶材加无Se气氛退火制备CIGS电池
通过溅射富Se CIGS靶材制备获得富Se成分的沉积态CIGS薄膜,并对沉积态薄膜在无Se源保护性气氛下进行晶化退火,获得具有富Se成分、单一黄铜矿相组成且电子学性能良好的CIGS吸收层和相应CIGS电池。采用该工艺方法...
李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋
关键词:薄膜太阳能电池
磁控溅射制备Nb掺杂IZO薄膜光电学性能研究
2016年
通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO)。运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能。光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO(IGZO)具有更低的深能级缺陷密度。Hall效应测试结果表明,通过调节溅射过程中氧气流量可有效控制INZO薄膜载流子浓度,使之适合于制备薄膜晶体管(TFT)器件。INZO薄膜迁移率随载流子浓度的变化规律符合渗流传导模型,载流子浓度较低时,迁移率随载流子浓度增加而增加;载流子浓度较高时,迁移率下降,光学数据的分析表明其带尾态宽度较大,结构更无序。提高溅射基底温度可有效提高迁移率,但对薄膜无序度的改善并不明显。
曹明杰赵明庄大明郭力欧阳良琦孙汝军詹世璐
关键词:无机非金属材料光致发光迁移率磁控溅射
磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究
2015年
采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明,制备出的IGZO薄膜均为非晶结构,成分与靶材基本一致,电学性能对溅射电流不敏感,而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率。随着氧气流量的增加,薄膜的载流子浓度先增加后减小,而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加。透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90%以上。
曹明杰赵明庄大明郭力欧阳良琦李晓龙宋军
关键词:无机非金属材料非晶态半导体磁控溅射迁移率
硒化时间对铜锌锡硫硒薄膜硒含量的影响
阐述直接溅射铜锌锡硫靶后硒化法能够制备得到了铜锌锡硫硒薄膜。随着硒化时间的增加,铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值增加,其结构从铜锌锡硫向铜锌锡硫硒转变,最后为纯的铜锌锡硒结构。此外,铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值能...
孙汝军庄大明赵明欧阳良琦郭力曹明杰李晓龙谢敏
关键词:硒含量
富Se CIGS靶材制备和性能研究
采用热压烧结CIGS、Se混合粉末的方法制备得到高密实率的富Se CIGS靶材,发现Se元素的加入具有液相辅助烧结作用,大大提高靶材密实率,制备得到靶材最高密实率达到98.31%,且制备得到的CIGS靶材具有理想的单一黄...
李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋
关键词:硒元素
Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合球磨过程中的Cu(In,Ga)Se_2形成机制研究被引量:1
2016年
对球磨时间不同的Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3混合粉末进行热压烧结制备CIGS靶材,发现在球磨时间较短时靶材出现分层,随着球磨时间延长分层缺陷消失。由此考察了粉末在球磨过程中发生的物理化学变化及其对分层的影响。结果表明:Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3三种硒化物粉末在球磨过程中发生机械合金化反应形成黄铜矿相Cu(In,Ga)Se2(CIGS)。随着球磨时间的延长,黄铜矿相结构Cu In Se2(CIS)首先在Cu-Se二元化合物表面产生,并随着Ga原子的扩散逐步形成CIGS四元相。当球磨时间达到48 h时,粉末由黄铜矿相CIGS和少量Ga2Se3组成。由于Cu2-xSe与CIGS晶体结构相近,因此通过外延反应的方式有效促进了CIGS的合成。球磨过程中Cu-Se二元相的消失和CIGS相的形成有助于抑制烧结过程中分层缺陷的产生。
李晓龙赵明庄大明巩前明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋
关键词:无机非金属材料铜铟镓硒机械合金化热压烧结
铜锌锡硫溅射靶及其制备方法
本发明涉及一种贫铜富锌的铜锌锡硫溅射靶,该铜锌锡硫溅射靶具有锌黄锡矿结构,含有Cu、Zn、Sn及S元素,该四种元素的原子比满足Cu/(Zn+Sn)&lt;1且Zn/Sn&gt;1。本发明还涉及一种铜锌锡硫溅射靶的制备方法...
庄大明赵明孙汝军余新平张宁郭力高泽栋魏要伟欧阳良琦
文献传递
共2页<12>
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