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侯春雷

作品数：10 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇退火
  • 5篇快速退火
  • 5篇SIGE材料
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体管
  • 4篇晶体管器件
  • 4篇合金
  • 4篇合金层
  • 4篇NITI合金
  • 3篇NI
  • 2篇升温速率
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇接触特性
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇TI
  • 1篇电路
  • 1篇电性能

机构

  • 6篇上海工程技术...
  • 5篇中国科学院

作者

  • 10篇侯春雷
  • 5篇平云霞
  • 5篇张波
  • 5篇狄增峰
  • 5篇张苗
  • 2篇赵清太
  • 1篇薛忠营
  • 1篇俞文杰
  • 1篇魏星

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法
本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底...
张波侯春雷孟骁然狄增峰张苗
文献传递
一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法
本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法，至少包括以下步骤：1）提供一Si<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>层，于所述Si<Sub>1‑x</Sub>Ge<Sub...
张波侯春雷狄增峰张苗赵清太
文献传递
一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法
本发明提供一种利用石墨烯插入层外延生长金属/半导体材料的方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成石墨烯薄膜；2)在所述石墨烯薄膜表面沉积一层金属层；3)进行快速退火，使所述半导体衬底...
张波侯春雷孟骁然狄增峰张苗
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一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法
本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni<Sub>1-x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃...
平云霞侯春雷
一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法
本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni<Sub>1‑x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃...
平云霞侯春雷
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高迁移率应变SiGe上NiSiGe材料特性的研究
随着超大规模集成电路集成度的不断增加，晶体管的单元尺寸持续的缩小。晶体管工艺流程发展到了纳米节点以下，线宽效应、短沟道效应等原因使得晶体管性能的持续提高面临了巨大挑战。为了进一步提高晶体管的性能，需要新的沟道材料及相应的...
侯春雷
关键词：集成电路电学性能SIGE材料
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一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法
本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法，所述方法是首先在硅衬底上生长Si<Sub>1-y</Sub>Ge<Sub>y</Sub>层，其中：0.05≤y≤0.9；再在Si<Sub>1-y</Sub>...
平云霞侯春雷
一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法
本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法，至少包括以下步骤：1）提供一Si<Sub>1-</Sub><Sub>x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>层，于所述Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub...
张波侯春雷狄增峰张苗赵清太
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700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理被引量：1
2016年
文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部分移动到镍硅锗薄膜的表面.研究结果表明,铝原子的存在延迟了镍和硅锗合金的反应,镍硅锗薄膜的热稳定性和均匀性都得到了提高.最后,基于上述实验结果给出了铝原子调制形成外延镍硅锗薄膜的生长机理.
平云霞王曼乐孟骁然侯春雷俞文杰薛忠营魏星张苗狄增峰张波
一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法
本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe材料的方法，所述方法是首先在硅衬底上生长Si<Sub>1‑y</Sub>Ge<Sub>y</Sub>层，其中：0.05≤y≤0.9；再在Si<Sub>1‑</Sub><...
平云霞侯春雷
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