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安宁: 作品数：27 被引量：3H指数：1; 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

一种全硅基双面集成结构及其制备方法: 本发明公开了一种全硅基双面集成结构，该结构包括：位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板；其中双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联，下表面均与硅转接板上表面通...; 张翔鸥孙翔宇安宁邓泽佳

一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法: 本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电...; 安宁曾建平李倩谭为; 文献传递

AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作: 2018年; 基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_（1-x）层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。; 李倩李倩安宁曾建平唐海林唐海林李志强; 关键词：ALGAN/GAN 空气桥太赫兹

一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构: 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种GaN基SBD变频电路及其制作方法: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于金刚石衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于金刚石衬底的电路从下至上依次包括衬底、第一层金属、第二层金属、第一层介质层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种制备部分覆盖侧面电极的方法: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...; 王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平; 文献传递

一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法，首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极，以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀，得到收集极区相应的台面，由于自对准电极与第二掺杂层结合强度...; 苏娟石向阳李倩王丁安宁曾建平谭为; 文献传递

一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法: 本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，本发明属于薄膜结构处理技术领域，包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤，是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法，以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸...; 王文杰李舒啸谢武泽安宁李倩曾建平; 文献传递

一种制备全部覆盖侧面电极的方法: 本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子...; 王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平; 文献传递

具有阵列导电沟道结构的太赫兹波探测器: 本发明公开了具有阵列导电沟道结构的太赫兹波探测器。涉及半导体红外探测领域，所要解决的问题是现有太赫兹波探测器的低灵敏度和低效率问题。该探测器包括衬底、缓冲层、导电沟道层、势垒层、帽层、光栅栅极、源漏金属电极，其中，缓冲层...; 曾建平唐海林李志强安宁熊永忠; 文献传递