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王文杰

作品数：32 被引量：4H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 9篇刻蚀
  • 8篇激光
  • 7篇氮化镓
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 7篇金属有机物
  • 7篇金属有机物化...
  • 7篇光源
  • 6篇光口
  • 5篇氮化
  • 5篇电容
  • 5篇结电容
  • 5篇晶格
  • 5篇晶格失配
  • 5篇激光器
  • 5篇集成光源
  • 4篇电极
  • 4篇电子器件
  • 4篇钝化层
  • 4篇透镜

机构

  • 31篇中国工程物理...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 31篇王文杰
  • 13篇李倩
  • 12篇李沫
  • 9篇张健
  • 7篇曾建平
  • 7篇安宁
  • 5篇龙衡
  • 4篇周阳
  • 4篇代刚
  • 3篇姚尧
  • 1篇李倩
  • 1篇熊永忠
  • 1篇童小东
  • 1篇李志强
  • 1篇唐海林

传媒

  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2015
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种光源集成物理不可克隆函数器件的制备方法
本发明公开了一种光源集成物理不可克隆函数器件的制备方法，通过在激光芯片的出光口直接设置第一微透镜，可以直接将激光芯片产生的激光进行整形，并通过传播间隙形成一尺寸合适的光斑，从而可以增加激光照射至液晶盒的面积；之后通过液晶...
王文杰黄锋袁浚廖明乐李倩康健彬万永彪
一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法
本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，本发明属于薄膜结构处理技术领域，包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤，是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法，以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸...
王文杰李舒啸谢武泽安宁李倩曾建平
文献传递
一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法
本发明涉及一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将铜衬底抛光、清洗；在铜衬底上生长h‑BN‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在h‑BN‑石墨烯复合层上生长一层氮...
王文杰李沫李俊泽张建杨浩军谢武泽邓泽佳代刚张健
一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法
本发明公开了一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法，通过在衬底上逐层形成缓冲层、N型层、量子阱层、P型层和微结构增透层，然后在P型层和微结构增透层上形成透明导电层，微结构增透层为TiO<Sub>2</Su...
王文杰谢武泽徐哲周阳
一种制备部分覆盖侧面电极的方法
本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...
王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平
文献传递
一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法
本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，本发明属于薄膜结构处理技术领域，包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤，是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法，以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸...
王文杰李舒啸谢武泽安宁李倩曾建平
截止频率8.7THz的平面肖特基势垒二极管被引量：4
2015年
肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二极管的串联电阻为10.2?,零偏结电容为1.76 f F,肖特基结截止频率达到了8.7 THz;相同管子的射频测试串联电阻为15.4?,零偏结电容1.46 f F,肖特基结截止频率也达到了7 THz。
李倩安宁童小东王文杰曾建平李志强唐海林熊永忠
关键词：太赫兹肖特基势垒二极管串联电阻截止频率
一种基于二硫化钼-石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法
本发明涉及一种基于二硫化钼‑石墨烯复合缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将硅衬底进行清洗；在硅衬底上生长二硫化钼‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在二硫化钼‑石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在...
王文杰李沫李俊泽张建杨浩军谢武泽邓泽佳代刚张健
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一种具有折射率可调的复合增透膜的可见光LED芯片
本发明涉及光电子技术，特别公开了一种具有折射率可调的复合增透膜的可见光LED芯片，其结构包括衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有多孔微结构的复合增透膜层，所述复合增透膜层包括多孔Al...
王文杰谢武泽徐哲周阳
文献传递
一种制备部分覆盖侧面电极的方法
本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...
王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平
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