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王明耀

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇放大器
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇射频
  • 1篇射频功率
  • 1篇射频功率放大...
  • 1篇开关级
  • 1篇宽带
  • 1篇宽带线性
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇光电
  • 1篇光电二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇放大器设计
  • 1篇BICMOS
  • 1篇GE/SI
  • 1篇波导
  • 1篇4G
  • 1篇SIGE

机构

  • 3篇重庆邮电大学

作者

  • 3篇王巍
  • 3篇王明耀
  • 2篇王冠宇
  • 2篇袁军
  • 2篇杨正琳
  • 2篇蔡文琪
  • 2篇胡凤
  • 1篇王振
  • 1篇王婷
  • 1篇陈丽

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2016
4 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计被引量:1
2016年
设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器.第一级采用差分共源放大器,将输入匹配送来的信号进行预放大,同时抑制噪声.第二级主功放采用BiFET共源共栅结构,以提高线性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工艺库,采用Cadence Spectre RF对功率放大器进行仿真.实验结果表明,在3.3V电源电压下,最高功率增益达到32dB,输出1dB压缩点处功率为29dBm,有较好地线性度,在2.3~2.7GHz频段内S11和S22均小于-10dB,匹配良好.最大功率附加效率为22.1%,可用于WIMAX无线通信的2.3~2.7GHz频段.
王巍蔡文琪莫啸胡凤王明耀杨正琳袁军
关键词:射频功率放大器SIGE
Ge/Si波导集成型APD器件的仿真分析被引量:1
2016年
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流。采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明:器件的雪崩击穿电压为-28V,最大内量子效率达到89%,在1.15~1.60μm范围内具有较高响应度,峰值波长位于1.31μm,单位响应度最高达0.74A/W,3dB带宽为10GHz。
王振王婷王巍杜超雨陈丽鲍孝圆王冠宇王明耀
关键词:GE/SI雪崩光电二极管
一种宽带高效包络跟踪放大器的设计
2016年
为了高效处理宽带非恒包络信号,利用宽带包络信号功率主要集中在低频部分的特性,结合线性放大器和开关类放大器的优势,设计了一个宽带包络跟踪放大器。该放大器由一个宽带线性级和一个受线性级控制的高效开关级组成。线性级采用折叠式共源共栅放大器结构,具有AB类输出级及输出级缓冲;开关级采用同步降压型DC-DC变换器结构,包含驱动电路及"防直通"模块。整个电路采用Jazz 0.18μm BiCMOS工艺进行设计仿真,结果表明,在3.3V电源电压下,线性级单位增益带宽约为50MHz,可驱动300mA电流,具有188V/μs的摆率,包络跟踪放大器可跟踪包络信号幅度和带宽的瞬时变化,改变开关导通比以及开关频率。
王巍莫啸蔡文琪胡凤王明耀王冠宇袁军杨正琳
共1页<1>
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