您的位置： 专家智库 > >

马磊

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 10篇沟道
  • 7篇复合沟道
  • 6篇MHEMT
  • 4篇振荡器
  • 4篇态密度
  • 4篇微波振荡器
  • 4篇界面态
  • 4篇界面态密度
  • 3篇电阻
  • 3篇双掺杂
  • 3篇晶体管
  • 3篇方块电阻
  • 3篇半导体
  • 3篇HEMT器件
  • 3篇掺杂
  • 3篇衬底
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应

机构

  • 13篇桂林电子科技...
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 13篇马磊
  • 12篇李琦
  • 12篇李海鸥
  • 12篇李跃
  • 11篇首照宇
  • 11篇李思敏
  • 6篇吴笑峰
  • 6篇黄伟
  • 6篇吉宪
  • 5篇张法碧
  • 5篇陈永和
  • 4篇肖功利
  • 3篇王盛凯
  • 3篇刘洪刚
  • 3篇常虎东
  • 3篇孙兵
  • 2篇翟江辉
  • 1篇韦春荣
  • 1篇丁志华

传媒

  • 1篇桂林电子科技...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2015
共 13 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法
本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹...
李海鸥吉宪李琦李跃黄伟马磊首照宇吴笑峰李思敏
一种复合沟道MHEMT微波振荡器
李海鸥吉宪李琦李跃黄伟马磊首照宇吴笑峰李思敏
该发明涉及微波通信器件领域，具体涉及一种复合沟道GaAs 衬底变组分高电子迁移率晶体管（GaAs mHEMT）微波振荡器的制备方法。该发明所要解决的技术问题是提供一种复合沟道GaAs 衬底变组分高电子迁移率晶体管微波振荡...
关键词：
关键词：微波振荡器
一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In<Sub>...
李海鸥马磊李思敏首照宇李琦王盛凯陈永和张法碧肖功利傅涛李跃常虎东孙兵刘洪刚
文献传递
基于低功耗增强型In_(0.25)Ga_(0.75)As沟道MOSFET器件
2018年
为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性进行了模拟仿真和分析。实验结果表明:8μm栅长的增强型InGaAs沟道MOSFET器件的关态电流小于1×10^(-8) mA/mm,器件的开关比达到9个量级,说明了降低InGaAs沟道的In组分和提高InAlAs掺杂层中的P型掺杂浓度能够降低器件的关态电流,增大器件电流开关比,从而实现了低功耗的器件性能。
李海鸥李跃李跃李琦肖功利马磊丁志华
关键词：INGAASMOSFET
一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法
本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造...
李海鸥吉宪李琦李跃黄伟马磊首照宇吴笑峰李思敏
一种复合沟道MHEMT微波振荡器
本实用新型公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器，该微波振荡器的有源固体器件由砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管构成；所述砷化镓衬底的变组分高电子迁移率晶体管自下而上依次由衬底层、渐变缓冲层、缓存层、第一沟道层、第二沟道...
李海鸥吉宪李琦李跃黄伟马磊首照宇吴笑峰李思敏
文献传递
一种III-V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In<Sub>...
李海鸥马磊李思敏首照宇李琦王盛凯陈永和张法碧肖功利傅涛李跃常虎东孙兵刘洪刚
一种III‑V族环栅场效应晶体管
本实用新型公开一种III‑V族环栅场效应晶体管，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层...
李海鸥李跃首照宇李思敏李琦陈永和谢仕锋马磊张法碧傅涛翟江辉
文献传递
一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法
本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法，器件采用复合沟道结构，离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离，Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触，利用两次自对准电子曝光束，一次显影的三层胶工艺制造...
李海鸥吉宪李琦李跃黄伟马磊首照宇吴笑峰李思敏
文献传递
一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法
本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二...
李海鸥李跃首照宇李思敏李琦陈永和谢仕锋马磊张法碧傅涛翟江辉
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0