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王珩

作品数：2 被引量：17H指数：2
供职机构：北京航空航天大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇压阻
  • 2篇压阻效应
  • 2篇纳米硅
  • 2篇纳米硅薄膜
  • 2篇硅薄膜
  • 1篇微结构
  • 1篇硅

机构

  • 2篇北京航空航天...
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 2篇林鸿溢
  • 2篇何宇亮
  • 2篇王珩
  • 1篇余明斌
  • 1篇于晓梅
  • 1篇武旭辉
  • 1篇李冲

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
纳米Si薄膜的结构及压阻效应被引量：9
1996年
使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术检测了纳米Ｓｉ薄膜的微结构纳米Ｓｉ薄膜由大量的细微Ｓｉ晶粒以及大量的晶粒间界面区组成．这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量．本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。
何宇亮林鸿溢武旭辉余明斌于晓梅王珩李冲
关键词：压阻效应微结构硅薄膜纳米硅薄膜
纳米硅薄膜的压阻效应被引量：8
1995年
固体纳米材料已被认为是当前极有发展前景的一种人工功能材料.许多先进国家皆已把它列为21世纪重大课题而给予重视.我们使用了常规的PECVD薄膜沉积技术已成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜(nc-Si:H).由于纳米硅膜是由占体积百分比X_c≈50%的细微晶粒(d=3～5nm)及X_I≈50%的晶粒界面所组成,已发现大量界面组织的存在对nc-Si:H膜的结构和物性产生重要的作用.业已观测到。
何宇亮武旭辉王珩林鸿溢李冲
关键词：纳米硅压阻效应硅
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共1页<1>
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