潘磊
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析
- 张东国彭大青李亮董逊倪金玉罗伟科潘磊李传皓李忠辉
- V/Ⅲ比对Si基AlN薄膜结构特性的影响被引量：1
- 2016年
- 采用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了200nm厚的AlN薄膜,研究了V/III比对AlN薄膜晶体质量及表面六角缺陷的影响。结果表明,当V/III比为2 400时,得到的样品表面最平整,晶体质量最好,表面粗糙度为1.32nm,(002)半峰宽为0.615°,(102)半峰宽为0.689°。通过扫描电子显微镜(SEM)观察样品表面,发现当V/III比过高或者过低时,AlN薄膜的表面都会变得粗糙,六角形缺陷也会增多,合适的V/III比有助于抑制表面六角缺陷的产生。
- 杨乾坤潘磊李忠辉董逊张东国
- Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
- 引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较...
- 李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国
- MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究被引量：2
- 2017年
- 采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm^2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。
- 李忠辉李传皓彭大青张东国罗伟科李亮潘磊杨乾坤董逊
- 关键词：金属有机物化学气相沉积异质结迁移率
- 含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究
- 倪金玉郁鑫鑫潘磊董逊孔岑周建军李忠辉孔月婵陈堂胜
- 4英寸SiC衬底GaN基异质结材料
- 利用MOCVD技术，在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析：在4英寸SiC衬...
- 董逊倪金玉潘磊彭大青张东国李忠辉
- 金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善被引量：1
- 2017年
- 为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究发现,插入层生长温度是影响GaN同质外延膜表面形貌和晶体质量的关键因素.由于生长模式与插入层生长温度相关,随着插入层生长温度的降低,外延膜生长模式由准台阶流模式转变为层状模式,GaN同质外延膜表面丘壑状宏观缺陷逐渐减少,但微观位错密度逐渐增大.通过对插入层温度和厚度的优化,进一步调控外延层的生长模式,最终有效降低了外延层表面的宏观缺陷,获得了表面原子级光滑平整、位错密度极低的GaN同质外延膜,其X射线衍射摇摆曲线(002),(102)晶面半峰宽分别为125arcsec和85arcsec,表面粗糙度均方根大小为0.23nm.
- 李忠辉罗伟科杨乾坤李亮周建军董逊彭大青张东国潘磊李传皓
- 关键词：金属有机物化学气相沉积
