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钱凌轩

作品数:24 被引量:2H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺核科学技术理学更多>>

文献类型

  • 18篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 8篇探测器
  • 8篇光电
  • 6篇电极
  • 6篇电子信息
  • 6篇电子信息材料
  • 5篇氧化物
  • 5篇半导体
  • 4篇探测率
  • 4篇晶体管
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 3篇导体
  • 3篇氧化镓
  • 3篇有源层
  • 3篇退火
  • 3篇光电导探测器
  • 2篇第三电极
  • 2篇电负性
  • 2篇亚稳态
  • 2篇氧化物半导体

机构

  • 24篇电子科技大学
  • 1篇西南科技大学
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 24篇钱凌轩
  • 12篇张万里
  • 9篇刘兴钊
  • 4篇陶伯万
  • 3篇夏勇
  • 3篇赵晓辉
  • 2篇张诚
  • 2篇李雪松
  • 1篇孙旭
  • 1篇周游
  • 1篇倪磊
  • 1篇刘宏宇

传媒

  • 2篇光电工程
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种稀土元素掺入的铪基二元氧化物薄膜的制备方法
本发明属于电子信息材料与元器件领域,具体涉及一种稀土元素掺入的铪基二元氧化物薄膜的制备方法及其应用。利用稀土元素具有更强氧结合能力这一特点,达到如下效果:当通入氧气较少时,优先形成富含稀土元素的氧化物;当通入氧气充足时,...
钱凌轩谭欣月
基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法
本发明提供一种基于三层结构的半导体光电探测器及其制备方法,包括底部的基片、基片上方的三层材料结构,三层材料结构自下到上分别为:本征半导体、掺杂或合金化半导体、间隔层,间隔层上方与电极层连接,其中,电极层包括第一电极、第二...
钱凌轩侯爽邢志阳张万里
文献传递
一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法
本发明属于电子信息材料与元器件领域,具体涉及一种基于锡氧化物的pn结及其制备方法。本发明有源层一半制备在高介电常数介质层上,另一半制备在传统介质层上,利用亚稳态的有源层SnO材料极易被氧化为SnO<Sub>2</Sub>...
钱凌轩杨成栋谭欣月
文献传递
一种用于快速热处理的管式退火炉
本发明属于高温热处理装置领域,提供一种用于快速热处理的管式退火炉,用于晶体测温技术研究中对微型晶体样品进行精准时长的快速热退火处理。本发明包括:管式高温炉1、法兰2、刚玉管4及刚玉管帽3,管式高温炉两端设置进气端与排气端...
钱凌轩陈泳洁赵晓辉陶伯万
一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法
本发明属于半导体技术领域,具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法,用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独...
钱凌轩张诚谭欣月张万里
一种基于中子辐照和离子注入晶体的大范围测温方法
本发明属于测温技术领域,具体提供一种基于中子辐照和离子注入晶体的大范围测温方法,用以实现600℃~1800℃的大范围温度测量。本发明首先对碳化硅晶体进行离子注入,得到晶格损伤后的碳化硅;然后对碳化硅单晶进行中子辐照,引入...
赵晓辉陈泳洁钱凌轩陶伯万
氧化物半导体基光电探测器及提高其性能的方法
本发明提供一种提高氧化物半导体基光电探测器性能的方法及所得到的氧化物半导体基光电探测器,该方法对基片上的有源层材料表面进行氟元素掺杂,从而填充制备有源层材料过程中产生的氧空位,然后制作电极形成光电探测器,氟元素掺杂使得光...
钱凌轩石雄林张怡宇刘兴钊张万里
文献传递
一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路
本发明公开了一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路,属于半导体器件技术领域。其包括:衬底、栅电极、电介质层、石墨烯层、源电极和漏电极,还包括:氧化物半导体层,且氧化物半导体层设置在石墨烯层与源电极和漏电极之...
钱凌轩邢志阳张怡宇李雪松张万里
文献传递
表面等离子体在氧化镓基紫外探测器中的应用被引量:2
2018年
局域表面等离子体共振是一种改善光电探测器性能的有效方法。本文为了提高beta-氧化镓(b-Ga_2O_3)薄膜金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器的性能,提出了在beta-氧化镓薄膜表面利用快速热退火的方法形成分散的铝纳米粒子(Al-NPs),增强薄膜对光的吸收。运用此方法制备的Al-NPs/b-Ga_2O_3探测器不仅降低了暗电流,同时也提升了光响应度和探测率。在波长254 nm紫外光照、10 V偏压下,该器件的光响应度达到了2.7 A/W,探测率达到了1.35′1014cm×Hz1/2×W-1,与b-Ga_2O_3探测器相比,分别提升了1.5倍和2倍。
石雄林刘宏宇候爽钱凌轩刘兴钊
高纯度石英玻璃40~110 GHz频段电参数的表征
2023年
基于127μm的高纯度石英(99.9997%)基底设计了共面波导(CPW)、微带环形谐振器(MRR)结构,通过测试得到在40~110 GHz的频率范围内,CPW线的平均插入损耗在0.096~0.176 dB/mm之间。此外,采用MRR方法提取了石英的相对介电常数和损耗角正切值,该石英基底在V波段和W波段的相对介电常数分别介于3.7~3.85和3.85~4之间,损耗角正切值在V波段约为0.004,在W波段介于0.004~0.006之间。通过与其他基底性能对比表明,该高纯度石英具有良好稳定的电性能,其在设计高性能无源和封装结构方面具有一定的潜力。
朱香宝孙旭岳海昆钱凌轩倪磊
关键词:石英玻璃共面波导V波段W波段
共3页<123>
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