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周家伟

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电极
  • 4篇探测器
  • 4篇非晶
  • 4篇非晶碳
  • 4篇掺杂
  • 2篇单晶
  • 2篇电极结构
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇升华
  • 2篇输运
  • 2篇输运特性
  • 2篇碳膜
  • 2篇平面电极
  • 2篇中子
  • 2篇中子探测
  • 2篇中子探测器
  • 2篇结型
  • 2篇金电极
  • 2篇巨磁阻

机构

  • 8篇上海大学

作者

  • 8篇王林军
  • 8篇周家伟
  • 6篇黄健
  • 6篇杨瑾
  • 6篇季欢欢
  • 4篇任兵
  • 4篇汪琳
  • 4篇张淑玮
  • 2篇张继军
  • 2篇张磊
  • 2篇吴白羽
  • 2篇胡艳
  • 2篇张电

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
文献传递
一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法
本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结...
黄健杨瑾季欢欢陆元曦周家伟张磊胡艳王林军
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具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a‑C/F...
汪琳张淑玮吴白羽周家伟任兵黄健王林军
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一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法
本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结...
黄健杨瑾季欢欢陆元曦周家伟张磊胡艳王林军
具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a-C/F...
汪琳张淑玮吴白羽周家伟任兵黄健王林军
具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZn...
王林军季欢欢杨瑾黄健吴杨琳周家伟沈意斌张继军
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具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZn...
王林军季欢欢杨瑾黄健吴杨琳周家伟沈意斌张继军
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具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
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