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季欢欢

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电极
  • 4篇探测器
  • 2篇单晶
  • 2篇电极结构
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇升华
  • 2篇平面电极
  • 2篇中子
  • 2篇中子探测
  • 2篇中子探测器
  • 2篇结型
  • 2篇金电极
  • 2篇缓冲层
  • 2篇溅射
  • 2篇高真空
  • 2篇共掺
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器

机构

  • 7篇上海大学

作者

  • 7篇王林军
  • 7篇季欢欢
  • 6篇周家伟
  • 6篇杨瑾
  • 5篇黄健
  • 2篇张继军
  • 2篇任兵
  • 2篇张磊
  • 2篇汪琳
  • 2篇胡艳
  • 2篇张淑玮
  • 2篇张电
  • 1篇徐海涛
  • 1篇徐闰
  • 1篇王文贞
  • 1篇蔡江

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
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一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法
本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结...
黄健杨瑾季欢欢陆元曦周家伟张磊胡艳王林军
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一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法
本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结...
黄健杨瑾季欢欢陆元曦周家伟张磊胡艳王林军
具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZn...
王林军季欢欢杨瑾黄健吴杨琳周家伟沈意斌张继军
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单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升...
徐闰吴杨琳徐海涛王文贞蔡江季欢欢许富宗倪超伟黄健王林军
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具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种具有单边阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于所述衬底层上的阻变层、位于所述阻变层上的包含两个平面电极的电极层，所述阻变层为掺杂有磁性元素的非晶碳薄膜阻变层...
汪琳周家伟张电季欢欢杨瑾张淑玮任兵王林军
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具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法
本发明涉及一种具有缓冲层的CdZnTe薄膜光电探测器的制备方法，属于薄膜光电探测器部件制造工艺技术领域。本发明的目的是通过在采用近空间升华法制备CdZnTe薄膜之前先引入缓冲层（ZnTe/CdTe），从而达到提高CdZn...
王林军季欢欢杨瑾黄健吴杨琳周家伟沈意斌张继军
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