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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇石墨
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机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇孙信华
  • 1篇吴华
  • 1篇孙希鹏
  • 1篇王利杰
  • 1篇陆东梅
  • 1篇黄森鹏
  • 1篇于茫

传媒

  • 1篇科技创新导报

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
碳化硅表面高温改性法热场模拟研究
2012年
SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。
吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华于茫陆东梅
关键词:石墨烯石墨坩埚
共1页<1>
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