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张兰君

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低场
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇应变SI
  • 1篇屏蔽效应
  • 1篇迁移率
  • 1篇迁移率模型
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴迁移率
  • 1篇库仑
  • 1篇库仑散射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇P-MOSF...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇X
  • 1篇PMOSFE...

机构

  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇徐静平
  • 2篇张雪锋
  • 2篇张兰君
  • 1篇邹晓

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
考虑库仑散射屏蔽效应的Si_(1-x)Ge_x pMOSFET低场空穴迁移率模型
2008年
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化。利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。通过模拟得出,增加组分x可以显著提高等效体晶格散射迁移率,从而可以提高PMOSFET的空穴迁移率。
徐静平张兰君张雪锋
应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型被引量：4
2006年
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.
张雪锋徐静平邹晓张兰君
关键词：P-MOSFET空穴迁移率
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共1页<1>
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